[发明专利]半导体装置

说明书

技术领域

本发明实施例涉及半导体装置且更具体来说涉及例如鳍型场效晶体管(Fin Field Effect Transistor，FinFET)及传输门电路等半导体装置的布局。

背景技术

在半导体装置布局设计中，可存在可对设计者所可作出的设计选择加以约束的设计规则。这些设计规则可能限制供设计者放置某些组件的可用空间且可能妨碍设计者有效地利用设计者原本可利用的半导体装置的某些部分。例如，相较于间隔约束条件(spacing restriction)的约束性较小时，某些间隔约束条件可能使得半导体装置的体积变大。

发明内容

根据本发明的实施例，一种半导体装置包括：至少一个有源区；至少一个栅极电极，位于所述至少一个有源区的一部分之上；以及通孔，位于所述至少一个有源区之上且用以将所述至少一个栅极电极中的一者连接至所述半导体装置的另一部分。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本公开内容的各个方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1A及图1B是说明根据某些实施例的受约束性较小的间隔规则约束的半导体装置布局的实例的示意图；

图2是根据某些实施例的被提供用于帮助理解本文中所阐述的实施例的传输门电路的实例的示意图；

图3是根据某些实施例的用于图2中所示传输门电路的半导体装置布局的逻辑表示形式的实例的示意图；

图4是根据某些实施例的用于图2中所示传输门电路的受约束性较小的间隔规则约束的半导体装置布局的实例的示意图；

图5至图14是根据某些实施例的用于图2中所示传输门电路的受约束性较小的间隔规则约束的半导体装置布局的其他实例的示意图；

图15是根据某些实施例的可被实作以制造本文中所阐述的半导体装置的实例的方法的流程图。

具体实施方式

以下公开内容提供用于实作所提供主题的不同特征的许多不同的实施例或实例。以下阐述组件及排列的具体实例以简化本公开内容。当然，这些仅为实例且不旨在进行限制。例如，以下说明中将第一特征形成在第二特征“之上”或第二特征“上”可包括其中第一特征及第二特征被形成为直接接触的实施例，且也可包括其中第一特征与第二特征之间可形成有附加特征、进而使得所述第一特征与所述第二特征可能不直接接触的实施例。另外，本公开内容可能在各种实例中重复参考编号及/或字母。这种重复是出于简洁及清晰的目的，而不是自身表示所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。

此外，为易于说明，本文中可能使用例如“之下(beneath)”、“下面(below)”、“下部的(lower)”、“上方(above)”、“上部的(upper)”等空间相对性用语来阐述图中所示的一个元件或特征与另一(其他)元件或特征的关系。所述空间相对性用语旨在除图中所绘示的取向外还囊括装置在使用或操作中的不同取向。设备可具有其他取向(旋转90度或处于其他取向)且本文中所用的空间相对性描述语可同样相应地进行解释。

在各种实施例中，本发明提供一种可解决现有布局约束条件的一个或多个缺点的半导体装置布局。

本发明实施例提供一种其中设计规则容许在有源区(有时称作氧化物扩散(oxide diffusion，OD)区)之上定位通孔(例如，通孔_栅极(VIA_Gate，VG))的新颖半导体装置布局。在某些实施例中，在有源区之上放置通孔的能力可通过在图1B中的氧化物上覆盖金属(metal over oxide，MD)区13的顶部上放置隔离/介电层85而得到助长。换句话说，在本文中所阐述的半导体装置布局中，在通孔与有源区之间可不存在横向间隔。如本文中所阐述，在某些实施例中，不使用要求最小通孔-有源区(via-to-active-region)距离的横向间隔规则可使得在所述半导体装置布局中能够实现附加的灵活性。例如，设计者可更自由地利用半导体装置内的金属区。

在本说明书通篇中使用的用语“半导体装置”应被理解为囊括包括例如鳍型场效晶体管及/或传输门电路等各种不同类型的电路及装置。另外，本文所用用语“传输门电路”可包括传输门电路自身或者对于更复杂的设计包括利用传输门作为构建区块的更复杂的电路设计。