[发明专利]一种具有应变Si组合发射区的异质结双极晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201710240009.3 | 申请日： | 2017-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN107046058A | 公开（公告）日： | 2017-08-15 |
| 发明（设计）人： | 张静;唐昭焕;谭开洲;陈仙;王健安;陈光炳;付东兵 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/08;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司11275 | 代理人： | 赵荣之 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有应变Si组合发射区的异质结双极晶体管及其制备方法，属于半导体集成电路技术领域，所述异质结双极晶体管包括绝缘体上硅衬底、驰豫Si1‑xGex集电区、应变Si1‑yGey基区、N+区和发射区，所述发射区包括驰豫Si1‑xGex层和应变Si层。该异质结双极晶体管中发射区由于应变Si层的加入，使其与SOI应变CMOS能够全平面兼容，减小SOI SiGe BiCMOS的工艺复杂度与生产成本。同时，应变Si层会使发射区形成阻碍空穴运动的势垒ΔEv，增大载流子发射效率，从而提升器件的电流与频率性能，因此电学特性明显优于传统HBT器件，进一步，该异质结双极晶体管的有效寄生电容将比同等条件下体SiGe HBT中的寄生电容小，还具有漏电流小、抗衬底噪声和串扰能力强的优势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 应变 si 组合 发射 异质结 双极晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有应变Si组合发射区的异质结双极晶体管，其特征在于，所述异质结双极晶体管包括绝缘体上硅衬底、设置在所述绝缘体上硅衬底上的驰豫Si1‑xGex集电区、设置在所述驰豫Si1‑xGex集电区上中间位置的应变Si1‑yGey基区、设置在所述驰豫Si1‑xGex集电区上两侧的N+区和设置在所述应变Si1‑yGey基区上的发射区，所述发射区包括驰豫Si1‑xGex层和设置在所述驰豫Si1‑xGex层上的应变Si层。
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