[发明专利]TFT基板的制作方法及TFT基板有效
| 申请号: | 201710237261.9 | 申请日: | 2017-04-12 |
| 公开(公告)号: | CN107039352B | 公开(公告)日: | 2019-09-10 |
| 发明(设计)人: | 叶岩溪 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;H01L27/12 |
| 代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
| 地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | 本发明提供一种TFT基板的制作方法及TFT基板。该TFT基板的制作方法在色阻层中的相邻色阻单元之间设置第一、第二色阻块,并在第二色阻块上设置凹槽,使形成在色阻层上的平坦层对应第一、第二色阻块分别形成第一、第二平坦层凸起,且第一平坦层凸起的高度大于第二平坦层凸起的高度,接着利用一具有与色阻单元交界区域对应的透光区且透光区内透光率相同的光罩在平坦层上形成BPS遮光层,使BPS遮光层中,黑色矩阵上对应第一、第二色阻块形成高度不同的主间隔物及辅助间隔物,且黑色矩阵、主间隔物、及辅助间隔物在制作时的曝光量相同,能够通过增加光罩透光区的透光率,使黑色矩阵、主间隔物、及辅助间隔物的高度均具有较高的均匀性,提升产品品质。 | ||
| 搜索关键词: | tft 制作方法 基板 | ||
【主权项】:
1.一种TFT基板的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1、提供一衬底基板(10),在所述衬底基板(10)上制作薄膜晶体管层(20);步骤2、在所述薄膜晶体管层(20)上形成保护层(30);步骤3、在所述保护层(30)上形成色阻层(40);所述色阻层(40)包括阵列排布的多个色阻单元(41)、位于相邻色阻单元(41)之间的多个第一色阻块(42)、及位于相邻色阻单元(41)之间且与第一色阻块(42)间隔设置的多个第二色阻块(43),所述第二色阻块(43)上设有凹槽(431);步骤4、在所述色阻层(40)上形成平坦层(50),所述平坦层(50)对应多个第一色阻块(42)形成有多个第一平坦层凸起(51),对应多个第二色阻块(43)形成有多个第二平坦层凸起(52),所述第一平坦层凸起(51)的高度大于第二平坦层凸起(52)的高度;步骤5、对平坦层(50)、及保护层(30)进行刻蚀,形成贯穿平坦层(50)、及保护层(30)的过孔(53),在所述平坦层(50)上沉积并图案化形成像素电极(60);步骤6、提供一光罩(90),所述光罩(90)包括对应相邻色阻单元(41)交界区域设置的透光区(91)、及位于透光区(91)以外的不透光区(92),透光区(91)内透光率相同;在平坦层(50)及像素电极(60)上形成黑色光阻材料,利用所述光罩(90)对黑色光阻材料进行图案化,形成BPS遮光层(70),所述BPS指代黑色光阻间隔物,所述BPS遮光层(70)包括遮挡相邻色阻单元(41)交界区域的黑色矩阵(71)、位于黑色矩阵(71)上且与第一色阻块(42)对应的主间隔物(72)、及位于黑色矩阵(71)上且与第二色阻块(43)对应的辅助间隔物(73),主间隔物(72)的高度大于辅助间隔物(73)的高度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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