[发明专利]TFT基板的制作方法及TFT基板有效
| 申请号: | 201710237261.9 | 申请日: | 2017-04-12 |
| 公开(公告)号: | CN107039352B | 公开(公告)日: | 2019-09-10 |
| 发明(设计)人: | 叶岩溪 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;H01L27/12 |
| 代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
| 地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | tft 制作方法 基板 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种TFT基板的制作方法及TFT基板。
背景技术
随着显示技术的发展,液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点,而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品,成为显示装置中的主流。
通常液晶显示面板由彩膜(Color Filter,CF)基板、薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)基板、夹于彩膜基板与薄膜晶体管基板之间的液晶(LC,Liquid Crystal)及密封胶框(Sealant)组成,其成型工艺一般包括:前段阵列(Array)制程(薄膜、黄光、蚀刻及剥膜)、中段成盒(Cell)制程(TFT基板与CF基板贴合)及后段模组组装制程(驱动IC与印刷电路板压合)。其中,前段Array制程主要是形成TFT基板,以便于控制液晶分子的运动;中段Cell制程主要是在TFT基板与CF基板之间添加液晶;后段模组组装制程主要是驱动IC压合与印刷电路板的整合,进而驱动液晶分子转动,显示图像。
目前,黑色光阻间隔物(Black Photo Spacer,BPS)材料的出现使得把黑色矩阵(Black Matrix,BM)和光阻间隔物(Photo Spacer,PS)两道制程合在一起成为了可能。目前越来越多的液晶显示器生产厂家在开发把BPS技术应用在LCD中。因为BPS技术能够节省LCD制作一道工艺制程,从而能够节省包括光罩(mask)成本,工艺制程,仪器机台等产生的成本。
如图1及图2所示,现有的一种采用BPS技术的TFT基板包括衬底基板100、设于所述衬底基板100上的薄膜晶体管层200、覆盖所述薄膜晶体管层200的保护层300、设于所述保护层300上的色阻层400、设于所述色阻层400上的平坦层500、设于所述平坦层500上的像素电极600、以及设于像素电极600及平坦层500上的BPS遮光层700;所述色阻层400包括多个阵列排布的色阻单元410,所述BPS遮光层700包括遮挡相邻色阻单元410交界区域的黑色矩阵710、及位于黑色矩阵710上且间隔设置的主光阻间隔物(Main PS)720及辅助光阻间隔物(Sub PS)730,黑色矩阵710的高度小于辅助光阻间隔物730的高度,辅助光阻间隔物730的高度小于主区光阻间隔物720的高度,该BPS遮光层700通过具有三种透过率(3tone)的光罩制作得到,该3tone光罩中对应形成主光阻间隔物720的区域的为全透光区,对应形成辅助光阻间隔物730、及黑色矩阵710的区域为半透光区,且对应形成辅助光阻间隔物730的区域的透光率大于对应形成黑色矩阵710的区域的透光率,例如,对应形成辅助光阻间隔物730区域的透光率为30%,对应形成黑色矩阵710区域的透光率为20%。由于在制作BPS遮光层700时,对应形成辅助光阻间隔物730及黑色矩阵710的BPS材料接受的是半透的曝光量,在非饱和光量范围发生反应,容易造成辅助光阻间隔物730及黑色矩阵710高度的不稳定,而对应形成主光阻间隔物720的BPS材料接收的是全透的曝光量,在饱和光量范围内发生反应,高度较一致,同一结构的高度均匀性定义为其最大高度与最小高度的差除以最大高度,该结构的TFT基板中,主光阻间隔物720的高度的均匀性能够达到5%以内,但是辅助光阻间隔物730的高度的均匀性和黑色矩阵710的高度的均匀性只能够达到30%以内。
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