[发明专利]TFT基板的制作方法及TFT基板

权利要求书

1.一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、提供一衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上制作薄膜晶体管层(20)；

步骤2、在所述薄膜晶体管层(20)上形成保护层(30)；

步骤3、在所述保护层(30)上形成色阻层(40)；

所述色阻层(40)包括阵列排布的多个色阻单元(41)、位于相邻色阻单元(41)之间的多个第一色阻块(42)、及位于相邻色阻单元(41)之间且与第一色阻块(42)间隔设置的多个第二色阻块(43)，所述第二色阻块(43)上设有凹槽(431)；

步骤4、在所述色阻层(40)上形成平坦层(50)，所述平坦层(50)对应多个第一色阻块(42)形成有多个第一平坦层凸起(51)，对应多个第二色阻块(43)形成有多个第二平坦层凸起(52)，所述第一平坦层凸起(51)的高度大于第二平坦层凸起(52)的高度；

步骤5、对平坦层(50)、及保护层(30)进行刻蚀，形成贯穿平坦层(50)、及保护层(30)的过孔(53)，在所述平坦层(50)上沉积并图案化形成像素电极(60)；

步骤6、提供一光罩(90)，所述光罩(90)包括对应相邻色阻单元(41)交界区域设置的透光区(91)、及位于透光区(91)以外的不透光区(92)，透光区(91)内透光率相同；在平坦层(50)及像素电极(60)上形成黑色光阻材料，利用所述光罩(90)对黑色光阻材料进行图案化，形成BPS遮光层(70)，所述BPS遮光层(70)包括遮挡相邻色阻单元(41)交界区域的黑色矩阵(71)、位于黑色矩阵(71)上且与第一色阻块(42)对应的主间隔物(72)、及位于黑色矩阵(71)上且与第二色阻块(43)对应的辅助间隔物(73)，主间隔物(72)的高度大于辅助间隔物(73)的高度。

2.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤1具体包括：

步骤11、在所述衬底基板(10)上沉积第一金属层，并对第一金属层进行图案化，形成栅极(21)；

步骤12、在衬底基板(10)及栅极(21)上沉积栅极绝缘层(22)；

步骤13、在栅极绝缘层(22)上沉积氧化物半导体薄膜，并对氧化物半导体薄膜进行图案化，形成位于栅极(21)上方的有源层(23)；

步骤14、在栅极绝缘层(22)及有源层(23)上沉积第二金属层，并对第二金属层进行图案化，形成分别接触所述有源层(23)两侧的源极(24)与漏极(25)，形成薄膜晶体管层(20)；

所述步骤5中，所述过孔(53)暴露出漏极(25)，像素电极(60)经过孔(53)与漏极(25)接触。

3.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述凹槽(431)的深度等于第二色阻块(43)的高度，所述凹槽(431)的开口的形状为矩形。

4.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述光罩(90)的透光区(91)的透光率为90％-100％。

5.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述第一色阻块(42)的高度与第二色阻块(43)的高度相等；所述第一色阻块(42)及第二色阻块(43)的上表面的形状均为矩形。

6.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述平坦层(50)的材料为聚四氟乙烯。