[发明专利]半导体开关结构有效
| 申请号： | 201710235870.0 | 申请日： | 2017-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN107294517B | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 萧锦涛;陈志良;杨超源;余和哲 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体开关结构的实施例，包含源极接触、漏极接触、栅极与鳍片。接触与栅极沿着第一方向延伸并且在垂直第一方向的第二方向上彼此间隔。栅极散布于接触之间。鳍片位于接触与栅极两者之下。鳍片沿第二方向延伸并且在第一方向上彼此间隔。接触柱延伸穿过接触之一，并且未碰触栅极或鳍片。栅极柱延伸穿过栅极之一，并且未碰触接触或鳍片。接触‑栅极柱与接触与栅极碰触，但未与鳍片碰触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 开关 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体开关结构，其特征在于，包含：一接触，该接触包含源极接触与漏极接触；一栅极，其中该接触与该栅极沿一第一方向延伸并在垂直于该第一方向的一第二方向上彼此间隔，其中该栅极散布于该接触之间；一鳍片，位于该接触与该栅极两者之下，沿该第二方向延伸并且在该第一方向彼此间隔；一接触柱，沿伸穿过该接触之一，且未与该栅极或该鳍片碰触；一栅极柱，沿伸穿过该栅极之一，且未与该接触或该鳍片碰触；以及一接触‑栅极柱，与该接触与该栅极两者碰触，但未与该鳍片碰触。
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