[发明专利]半导体开关结构

权利要求书

1.一种半导体开关结构，其特征在于，包含：

复数个金属接触，该些金属接触包含源极接触与漏极接触；

复数个栅极，其中该些金属接触与该些栅极沿一第一方向延伸并在垂直于该第一方向的一第二方向上彼此间隔，其中该些栅极散布于该些金属接触之间；

复数个鳍片，位于该些金属接触与该些栅极之下，沿该第二方向延伸并且在该第一方向彼此间隔，其中该些金属接触及该些栅极直接接触位于该些金属接触及该些栅极之下的该些鳍片；

一接触柱，延伸穿过该些金属接触之一，且未与该些栅极或该些鳍片碰触；

一栅极柱，延伸穿过该些栅极之一，且未与该些金属接触或该些鳍片碰触；以及

一接触-栅极柱，与该些金属接触以及该些栅极碰触，但未与该些鳍片碰触。

2.根据权利要求1所述的半导体开关结构，其特征在于，还包含：

一覆盖区域，其中该半导体开关结构延伸穿过该覆盖区域，该覆盖区域由邻接在一起的一窄矩形区域与一宽矩形区域界定，其中该窄矩形区域与该宽矩形区域分别由以下界定：

一第一侧边缘及沿该第一方向延伸的相对的一第二侧边缘一起界定该窄矩形区域及该宽矩形区域的宽度，其中该宽矩形区域的该宽度较该窄矩形区域的该宽度宽；

一上边缘及沿该第二方向延伸的一下边缘一起界定该窄矩形区域及该宽矩形区域的长度；

其中该窄矩形区域的该上边缘与该宽矩形区域的该下边缘重合，其中至少该些金属接触之一延伸完全穿过该窄矩形区域及该宽矩形区域两者。

3.根据权利要求2所述的半导体开关结构，其特征在于，其中至少部分的该些金属接触完整延伸穿过该窄矩形区域及该宽矩形区域两者。

4.根据权利要求2所述的半导体开关结构，其特征在于，其中至少部分的该些栅极完整延伸穿过该窄矩形区域及该宽矩形区域两者。

5.根据权利要求2所述的半导体开关结构，其特征在于，其中位于该窄矩形区域中的全部的该些栅极以及位于该窄矩形区域中的全部的该些金属接触完整延伸穿过该窄矩形区域以及该宽矩形区域两者。

6.根据权利要求2所述的半导体开关结构，其特征在于，其中部分的该些鳍片完整延伸穿过该窄矩形区域，其余的该些鳍片完整延伸穿过该宽矩形区域。

7.根据权利要求2所述的半导体开关结构，其特征在于，其中该宽矩形区域沿该第二方向延伸，并超出该窄矩形区域的该第一侧边缘。

8.根据权利要求7所述的半导体开关结构，其特征在于，其中该宽矩形区域沿该第二方向延伸，并超出该窄矩形区域的该第二侧边缘。

9.根据权利要求2所述的半导体开关结构，其特征在于，其中该宽矩形区域在该第二方向上的投影在该窄矩形区域之上，该投影覆盖一控制电路或位于该控制电路下方，该控制电路控制该半导体开关结构。

10.根据权利要求2所述的半导体开关结构，其特征在于，其中该宽矩形区域在该第二方向上的投影在该窄矩形区域之上，该投影覆盖一逻辑电路或位于该逻辑电路下方，该半导体开关结构控制该逻辑电路的电源。

11.根据权利要求2所述的半导体开关结构，其特征在于，其中在该覆盖区域中：

该些金属接触沿该第二方向延伸的宽度是一致的；

该些栅极沿该第二方向延伸的宽度是一致的；

该些鳍片沿该第一方向延伸的宽度是一致的；

各该栅极与相邻的该金属接触之间的间隔是一致的；以及

相邻的各该鳍片之间的间隔是一致的。

12.根据权利要求1所述的半导体开关结构，其特征在于，其中至少部分的该些鳍片直接接触该些金属接触的至少一个以及该些栅极的至少一个。