[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201710233370.3 | 申请日： | 2017-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN108695258B | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 魏琰;宋化龙;徐唯佳 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092;H01L29/06;H01L29/08 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底上具有栅极结构；在所述栅极结构两侧的基底内形成轻掺杂区，所述轻掺杂区内具有轻掺杂离子；在所述栅极结构两侧的基底内形成空隙丰富区，所述空隙丰富区内具有空隙，所述空隙丰富区与部分所述轻掺杂区有重叠；在部分所述轻掺杂区和部分基底内形成源漏区，所述源漏区内具有源漏离子，部分所述源漏区与所述空隙丰富区有重叠。所述空隙丰富区提高了晶体管的饱和驱动电流，且降低了漏电流，改善了半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上具有栅极结构；在所述栅极结构两侧的基底内形成轻掺杂区，所述轻掺杂区内具有轻掺杂离子；在所述栅极结构两侧的基底内形成空隙丰富区，所述空隙丰富区内具有空隙，所述空隙丰富区与部分所述轻掺杂区重叠；在部分所述轻掺杂区和部分基底内形成源漏区，所述源漏区内具有源漏离子，部分所述源漏区与所述空隙丰富区重叠。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
