[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，基底上具有栅极结构，栅极结构两侧基底内具有源漏掺杂区，栅极结构露出的基底上具有层间介质层且层间介质层覆盖栅极结构顶部；在栅极结构两侧的层间介质层内形成露出源漏掺杂区的第一接触开口；形成贯穿栅极结构上方层间介质层的第二接触开口；形成第二接触开口后，对源漏掺杂区进行预非晶化注入工艺；预非晶化注入工艺后，在第一接触开口底部形成金属硅化物层；形成所述金属硅化物层后在第一接触开口内形成第一接触孔插塞，在第二接触开口内形成第二接触孔插塞。本发明可以避免形成于第一接触开口底部的无定型层在第二接触开口的形成过程中发生氧化，从而避免出现难以形成金属硅化物层的问题。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上具有栅极结构，所述栅极结构两侧的基底内具有源漏掺杂区，所述栅极结构露出的基底上具有层间介质层，所述层间介质层覆盖所述栅极结构顶部；在所述栅极结构两侧的层间介质层内形成露出所述源漏掺杂区的第一接触开口；形成贯穿所述栅极结构上方层间介质层的第二接触开口；形成所述第二接触开口后，对所述源漏掺杂区进行预非晶化注入工艺；在所述预非晶化注入工艺后，在所述第一接触开口的底部形成金属硅化物层；形成所述金属硅化物层后，在所述第一接触开口内形成与所述源漏掺杂区电连接的第一接触孔插塞，在所述第二接触开口内形成与所述栅极结构电连接的第二接触孔插塞。