[发明专利]具有嵌入闪存存储器的动态随机存储器元件及其制作方法

摘要

本发明公开一种具有嵌入闪存存储器的动态随机存储器元件及其制作方法，包含有一半导体基底，具有一DRAM阵列区及一周边区，其中周边区包含一嵌入闪存存储器形成区及一第一晶体管形成区。多个DRAM存储单元，设于DRAM阵列区内。一闪存存储器，设于嵌入闪存存储器形成区内，其中闪存存储器包含一ONO存储结构及一闪存存储器栅极结构。一第一晶体管，设于第一晶体管形成区内。

主权项

1.一种具有嵌入闪存存储器的动态随机存储器元件的制作方法，包含有：提供一半导体基底，具有动态随机存储器(DRAM)阵列区及周边区，其中该周边区包含嵌入闪存存储器形成区及第一晶体管形成区；在该DRAM阵列区及该周边区上形成至少一氧化硅‑氮化硅‑氧化硅(ONO)层；图案化该ONO层，以于该嵌入闪存存储器形成区上形成一ONO存储结构，并显露出该第一晶体管形成区内的该半导体基底；在该第一晶体管形成区内的该半导体基底上形成一第一栅极氧化层；在该DRAM阵列区及该周边区上全面沉积一第一栅极导电层；对该DRAM阵列区进行一接触洞蚀刻制作工艺，蚀穿该第一栅极导电层、该ONO层，及部分该半导体基底，以形成一接触洞；在该DRAM阵列区及该周边区上全面沉积一第二栅极导电层，且使该第二栅极导电层填入该接触洞，以形成一接触结构；在该第二栅极导电层上形成一金属层；以及图案化该金属层及该第一、第二栅极导电层，在该嵌入闪存存储器形成区内的该ONO存储结构上形成一闪存存储器栅极结构、在该第一晶体管形成区内形成一第一晶体管栅极结构，并于该DRAM阵列区形成至少一位线。