[发明专利]具有嵌入闪存存储器的动态随机存储器元件及其制作方法

权利要求书

1.一种具有嵌入闪存存储器的动态随机存储器元件的制作方法，包含有：

提供一半导体基底，具有动态随机存储器(DRAM)阵列区及周边区，其中该周边区包含嵌入闪存存储器形成区及第一晶体管形成区；

在该DRAM阵列区及该周边区上形成至少一氧化硅-氮化硅-氧化硅(ONO)层；

图案化该ONO层，以于该嵌入闪存存储器形成区上形成一ONO存储结构，并显露出该第一晶体管形成区内的该半导体基底；

在该第一晶体管形成区内的该半导体基底上形成一第一栅极氧化层；

在该DRAM阵列区及该周边区上全面沉积一第一栅极导电层；

对该DRAM阵列区进行一接触洞蚀刻制作工艺，蚀穿该第一栅极导电层、该ONO层，及部分该半导体基底，以形成一接触洞；

在该DRAM阵列区及该周边区上全面沉积一第二栅极导电层，且使该第二栅极导电层填入该接触洞，以形成一接触结构；

在该第二栅极导电层上形成一金属层；以及

图案化该金属层及该第一、第二栅极导电层，在该嵌入闪存存储器形成区内的该ONO存储结构上形成一闪存存储器栅极结构、在该第一晶体管形成区内形成一第一晶体管栅极结构，并于该DRAM阵列区形成至少一位线。

2.如权利要求1所述的具有嵌入闪存存储器的动态随机存储器元件的制作方法，其中该周边区还包含第二晶体管形成区，该方法还包含以下步骤：

在该第二晶体管形成区内的该半导体基底上形成一第二栅极氧化层，其中该第一栅极氧化层的厚度大于该第二栅极氧化层的厚度。

3.如权利要求2所述的具有嵌入闪存存储器的动态随机存储器元件的制作方法，其中还包含以下步骤：

图案化该金属层及该栅极导电层，以于该第二晶体管形成区内形成一第二晶体管栅极结构。

4.如权利要求1所述的具有嵌入闪存存储器的动态随机存储器元件的制作方法，其中于该第二栅极导电层上形成一金属层之前，还包含以下步骤：

回蚀刻该第二栅极导电层。

5.如权利要求1所述的具有嵌入闪存存储器的动态随机存储器元件的制作方法，其中该第一栅极导电层包含多晶硅。

6.如权利要求1所述的具有嵌入闪存存储器的动态随机存储器元件的制作方法，其中该第二栅极导电层包含多晶硅。

7.如权利要求1所述的具有嵌入闪存存储器的动态随机存储器元件的制作方法，其中该金属层包含钨。

8.如权利要求1所述的具有嵌入闪存存储器的动态随机存储器元件的制作方法，其中该DRAM阵列区内的该ONO层于形成该位线的过程中是作为一蚀刻停止层。