[发明专利]半导体存储器件及其制作方法

摘要

本发明提供一种半导体存储器件及其制作方法，于半导体衬底上形成有源区、垂直交错的字线及位线、第一、第二绝缘层，位线间填充有隔离材料；刻蚀形成接触窗以及位于第一绝、第二绝缘层上的缺口；于接触窗及缺口内填充导电材料并回刻使得导电材料低于第一绝缘层；沉积绝缘材料并进行刻蚀，使得中部的绝缘材料被全部去除形成电容器的接触垫窗口，而两侧的绝缘材料被部分保留形成接触垫侧壁绝缘层。本发明通过光刻与等离子蚀刻工艺制作自对准三维接触垫结构，使字线位线数组与电容器数组接合，可在不增加重新布线层的情况之下实现六方最密堆积电容器数组与四方字线位线数组的连接接触，同时制作接触垫侧壁绝缘层以增进绝缘效果。

主权项

一种半导体存储器件的制作方法，其特征在于，包括步骤：步骤1)，提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有有源区、字线以及鳍状的位线，相邻的至少两个所述字线与其中至少一所述位线交错排列，所述位线上具有第一绝缘层以及第二绝缘层，所述第二绝缘层包覆所述位线及所述第一绝缘层，所述位线之间填充有隔离材料；步骤2)，于沿字线方向且经过所述有源区的条形区域内定义出接触窗区域以及局部重叠所述位线的所述第一绝缘层及所述第二绝缘层上的缺口区域，去除所述接触窗区域内的隔离材料以形成接触窗，并去除所述缺口区域内的部分所述第一绝缘层及所述第二绝缘层以形成第一缺口与第二缺口，其中，所述第一缺口与所述第二缺口分别位于相邻的两个条形区域内的其中至少一所述位线上，所述第一缺口与所述第二缺口具有沿字线方向且互为相反的缺口朝向；步骤3)，于所述第一缺口及其连通的所述接触窗内与所述第二缺口及其连通的所述接触窗内填充导电材料并平坦化至露出所述第一绝缘层；步骤4)，刻蚀所述导电材料使其低于所述第二绝缘层的顶面；步骤5)，于所述导电材料、所述隔离材料、所述第一绝缘层及所述第二绝缘层之上沉积绝缘材料，位于所述导电材料侧边且连接所述第一绝缘层及所述第二绝缘层的所述绝缘材料的厚度大于位于所述导电材料中部的所述绝缘材料的厚度；以及步骤6)，刻蚀所述绝缘材料，直到位于所述导电材料中部的绝缘材料被去除以形成电容器的接触垫窗口，而位于所述导电材料侧边的绝缘材料被部分保留以形成接触垫侧壁绝缘层，所述接触垫窗口呈六方阵列排布，并且所述接触垫窗口的开口尺寸位置是受到所述接触垫侧壁绝缘层的限制。