[发明专利]半导体存储器件及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体存储器件的制作方法，其特征在于，包括步骤：

步骤1)，提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有有源区、字线以及鳍状的位线，相邻的至少两个所述字线与其中至少一所述位线交错排列，所述位线上具有第一绝缘层以及第二绝缘层，所述第二绝缘层包覆所述位线及所述第一绝缘层，所述位线之间填充有隔离材料；

步骤2)，于沿字线方向且经过所述有源区的条形区域内定义出接触窗区域以及局部重叠所述位线的所述第一绝缘层及所述第二绝缘层上的缺口区域，去除所述接触窗区域内的隔离材料以形成接触窗，并去除所述缺口区域内的部分所述第一绝缘层及所述第二绝缘层以形成第一缺口与第二缺口，其中，所述第一缺口与所述第二缺口分别位于相邻的两个条形区域内的其中至少一所述位线上，所述第一缺口与所述第二缺口具有沿字线方向且互为相反的缺口朝向；

步骤3)，于所述第一缺口及其连通的所述接触窗内与所述第二缺口及其连通的所述接触窗内填充导电材料并平坦化至露出所述第一绝缘层；

步骤4)，刻蚀所述导电材料使其低于所述第二绝缘层的顶面；

步骤5)，于所述导电材料、所述隔离材料、所述第一绝缘层及所述第二绝缘层之上沉积绝缘材料，位于所述导电材料侧边且连接所述第一绝缘层及所述第二绝缘层的所述绝缘材料的厚度大于位于所述导电材料中部的所述绝缘材料的厚度；以及

步骤6)，刻蚀所述绝缘材料，直到位于所述导电材料中部的绝缘材料被去除以形成电容器的接触垫窗口，而位于所述导电材料侧边的绝缘材料被部分保留以形成接触垫侧壁绝缘层，所述接触垫窗口呈六方阵列排布，并且所述接触垫窗口的开口尺寸位置是受到所述接触垫侧壁绝缘层的限制。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器件的制作方法，其特征在于，步骤2)包括：

步骤2-1)，于所述半导体衬底上形成掩膜及光刻材料层，通过一次光刻工艺同时于所述光刻材料层中制作出接触窗窗口及缺口窗口，并将包含所述接触窗窗口及所述缺口窗口的图形转移至所述掩膜；以及

步骤2-2)，刻蚀所述隔离材料至所述半导体衬底表面形成所述接触窗，同时刻蚀去除部分的所述第二绝缘层以及部分的所述第一绝缘层以形成所述第一缺口与所述第二缺口，其中，所述刻蚀对所述隔离材料的刻蚀速率大于对所述第一绝缘层的刻蚀速率且大于所述第二绝缘层的刻蚀速率。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器件的制作方法，其特征在于：步骤2)包括：

步骤2-1)，于所述半导体衬底上形成第一掩膜及第一光刻材料层，通过第一光刻工艺于所述第一光刻材料层中制作出接触窗窗口，并进行刻蚀将所述接触窗窗口图形转移至所述第一掩膜；

步骤2-2)，于所述第一掩膜上形成第二掩膜及第二光刻材料层，通过第二光刻工艺于所述第二光刻材料层中制作出缺口窗口，并将所述缺口窗口图形转移至所述第二掩膜及第一掩膜；以及

步骤2-3)，刻蚀所述隔离材料至所述半导体衬底表面形成所述接触窗，同时刻蚀去除部分的所述第二绝缘层以及部分的所述第一绝缘层以形成所述第一缺口与所述第二缺口，其中，所述刻蚀对所述隔离材料的刻蚀速率大于对所述第一绝缘层的刻蚀速率且大于所述第二绝缘层的刻蚀速率。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器件的制作方法，其特征在于：步骤2)中，所述第一缺口与所述第二缺口的任一深度不超过由所述位线、所述第一绝缘层及所述第二绝缘层所组成的高度的70％。

5.根据权利要求1所述的半导体存储器件的制作方法，其特征在于：所述第一缺口与所述第二缺口的任一宽度与由所述第一绝缘层及所述第二绝缘层所组成的宽度比为介于0.2:1～0.8:1。

6.根据权利要求1所述的半导体存储器件的制作方法，其特征在于：步骤5)中，所述绝缘材料沉积完成后，位于所述导电材料上的所述绝缘材料的顶面为不高于所述第一绝缘层及所述第二绝缘层的顶面。

7.根据权利要求1至6任一项所述的半导体存储器件的制作方法，其特征在于：进一步包括：

于所述接触垫窗口上制作电容器，所述电容器呈六方阵列排布。