[发明专利]用于检测红外线辐射的盖革模式雪崩光电二极管阵列

摘要

公开了用于检测红外线辐射的盖革模式雪崩光电二极管阵列。一种盖革模式雪崩光电二极管阵列形成在裸片中并且包括：内部电介质结构，该内部电介质结构被安排在该裸片上；以及外部电介质区域，该外部电介质区域被安排在该内部电介质结构上。该外部电介质区域由外部材料形成，该外部材料吸收波长落入低波长阻带中的辐射并且透射波长落入高波长通带中的辐射，该通带的至少一部分包括红外线中的波长。该内部电介质结构由一个或多个内部材料形成，该一个或多个内部材料实质上透射波长落入该阻带和该通带中的辐射，并且具有落入幅度为0.4的区间内的折射率。在该阻带和该通带中，该外部电介质区域的折射率具有落入上述区间内的实部。

主权项

一种盖革模式雪崩光电二极管阵列，所述阵列形成在裸片(100)中并且包括封装结构(160，162，164)，所述封装结构包括：‑内部电介质结构(160，162)，所述内部电介质结构被安排在所述裸片上，与其直接接触，并且叠置在所述光电二极管(1)上；以及‑外部电介质区域(164)，所述外部电介质区域被安排在所述内部电介质结构上，与其直接接触；并且其中，所述外部电介质区域由外部材料形成，所述外部材料吸收波长落入低波长阻带中的辐射并且透射波长落入高波长通带中的辐射，所述通带的至少一部分包括红外线中的波长；并且其中，所述内部电介质结构由一个或多个内部材料形成，所述一个或多个内部材料实质上透射波长落入所述阻带和所述通带中的辐射，并且具有落入宽度为0.4的区间内的折射率；并且其中，在所述阻带和所述通带中，所述外部电介质区域的折射率具有落入所述区间内的实部。