[发明专利]半导体存储装置及其形成方法

摘要

本发明公开一种半导体存储装置及其形成方法，该半导体存储装置包含基底、多个位线、栅极结构、侧壁层与第一间隙壁。基底包含存储区与周边区，多个位线是设置在基底上，并位于存储区内，而栅极结构则是设置在基底上，并位于周边区内。侧壁层覆盖多个位线与栅极结构的一侧壁。第一间隙壁则是设置在栅极结构的两侧，并覆盖在侧壁层上。

主权项

1.一种半导体存储装置，其特征在于，包含：基底，该基底包含存储区与周边区；多个位线，设置在该基底上，并位于该存储区内；栅极结构，设置在该基底上，并位于该周边区内；侧壁层，同时覆盖该些位线的一侧壁与该栅极结构的一侧壁，并且该侧壁层连续地从该些位线的该侧壁覆盖至该栅极结构的该侧壁；以及第一间隙壁，设置在该栅极结构的该侧壁与一相对侧壁上，并覆盖在该侧壁层上，其中，设置在该侧壁上的该第一间隙壁的一顶面低于该侧壁层的一顶面。