[发明专利]半导体存储装置及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体存储装置，其特征在于，包含：

基底，该基底包含存储区与周边区；

多个位线，设置在该基底上，并位于该存储区内；

栅极结构，设置在该基底上，并位于该周边区内；

侧壁层，同时覆盖该些位线的一侧壁与该栅极结构的一侧壁，并且该侧壁层连续地从该些位线的该侧壁覆盖至该栅极结构的该侧壁；以及

第一间隙壁，设置在该栅极结构的该侧壁与一相对侧壁上，并覆盖在该侧壁层上，其中，设置在该侧壁上的该第一间隙壁的一顶面低于该侧壁层的一顶面。

2.依据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，该侧壁层的该顶面覆盖该栅极结构的一上表面的一部分。

3.依据权利要求2所述的半导体存储装置，其特征在于，该栅极结构的该上表面包含一阶梯部，该阶梯部暴露在该侧壁层之外。

4.依据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，还包含：

第二间隙壁，覆盖在该栅极结构的该相对侧壁上，并且该第一间隙壁覆盖在该第二间隙壁上。

5.依据权利要求4所述的半导体存储装置，其特征在于，该第二间隙壁与该侧壁层包含相同材质。

6.依据权利要求4所述的半导体存储装置，其特征在于，该第二间隙壁与该侧壁层包含复合层结构。

7.依据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，还包含：

介电层，设置在该些位线与该栅极结构之间，该介电层的一部分覆盖在该栅极结构上。

8.依据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，还包含：

浅沟槽隔离，设置在该基底内，并介于该存储区与该周边区之间，其中，该侧壁层覆盖在该浅沟槽隔离之上。

9.一种半导体存储装置的形成方法，其特征在于，包含：

提供一基底，该基底包含一存储区与一周边区；

在该基底上形成多个位线，该些位线位于该存储区内；

在该基底上形成一栅极结构，该栅极结构位于该周边区内；

形成一侧壁层，覆盖该些位线的一侧壁与该栅极结构的一侧壁，并且该侧壁层连续地从该些位线的该侧壁覆盖至该栅极结构的该侧壁；以及

在该侧壁层形成后，在该栅极结构的该侧壁与一相对侧壁上形成一第一间隙壁，该第一间隙壁覆盖在该侧壁层上，设置在该侧壁上的该第一间隙壁的一顶面低于该侧壁层的一顶面。

10.依据权利要求9所述的半导体存储装置的形成方法，其特征在于，还包含：

在该第一间隙壁形成前，形成一第二间隙壁，覆盖在该栅极结构的该相对侧壁上，该第一间隙壁覆盖在该第二间隙壁上。

11.依据权利要求10所述的半导体存储装置的形成方法，其特征在于，该第二间隙壁与该侧壁层是同时形成。

12.依据权利要求10所述的半导体存储装置的形成方法，其特征在于，该侧壁层与该第二间隙壁的形成包含：

形成一第一材料层，覆盖在该些位线与该栅极结构上；

形成一掩模，覆盖该些位线且部分覆盖该栅极结构；以及

进行一蚀刻制作工艺，部分移除覆盖在该栅极结构上表面的该第一材料层，形成该侧壁层与该第二间隙壁。

13.依据权利要求12所述的半导体存储装置的形成方法，其特征在于，部分移除该第一材料层时，一并移除一部分的该栅极结构。

14.依据权利要求9所述的半导体存储装置的形成方法，其特征在于，还包含：

在该基底内形成一浅沟槽隔离，介于该些位线与该栅极结构之间，该侧壁层覆盖该浅沟槽隔离。