[发明专利]氧化物半导体及氧化物薄膜晶体管制备方法和显示面板有效
| 申请号： | 201710171104.2 | 申请日： | 2017-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN106941082B | 公开（公告）日： | 2020-02-28 |
| 发明（设计）人： | 班圣光;曹占锋;姚琪;刘清召;董水浪;路达 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/465 | 分类号： | H01L21/465;H01L21/34;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 林桐苒;李丹 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本文公开了一种氧化物半导体及氧化物薄膜晶体管制备方法和显示面板，包括：在进行第一层沉积之前，利用还原性气体对裸露的氧化物半导体进行处理，以消除初始耗尽层；进行第一层沉积。通过本申请提供的氧化物半导体制备方法，利用还原性气体对氧化物有源层表面的氧负离子进行反应，消除初始耗尽层，大大降低了半导体氧化物阻值的变化量，进而减小了V |
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| 搜索关键词： | 氧化物 半导体 薄膜晶体管 制备 方法 显示 面板 | ||
【主权项】：
一种氧化物半导体制备方法，其特征在于，包括：在进行钝化层第一层沉积之前，利用还原性气体对裸露的氧化物半导体进行处理，以消除初始耗尽层；进行第一层沉积。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
