[发明专利]氧化物半导体及氧化物薄膜晶体管制备方法和显示面板有效

申请号：	201710171104.2	申请日：	2017-03-21
公开（公告）号：	CN106941082B	公开（公告）日：	2020-02-28
发明（设计）人：	班圣光;曹占锋;姚琪;刘清召;董水浪;路达	申请（专利权）人：	京东方科技集团股份有限公司
主分类号：	H01L21/465	分类号：	H01L21/465;H01L21/34;H01L27/12
代理公司：	北京安信方达知识产权代理有限公司 11262	代理人：	林桐苒;李丹
地址：	100015 ***	国省代码：	北京;11
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摘要：
搜索关键词：	氧化物半导体薄膜晶体管制备方法显示面板
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【说明书】：

本文公开了一种氧化物半导体及氧化物薄膜晶体管制备方法和显示面板，包括：在进行第一层沉积之前，利用还原性气体对裸露的氧化物半导体进行处理，以消除初始耗尽层；进行第一层沉积。通过本申请提供的氧化物半导体制备方法，利用还原性气体对氧化物有源层表面的氧负离子进行反应，消除初始耗尽层，大大降低了半导体氧化物阻值的变化量，进而减小了V_th漂移，提高了作为有源层的氧化物的稳定性，从而增加氧化物TFT的信赖性。而且，本申请提供的技术方案工艺简单，有利于产线的大规模生产。

技术领域

本发明涉及但不限于电子技术，尤指一种氧化物半导体及氧化物薄膜晶体管制备方法和显示面板。

背景技术

随着人们对于高分辨率、窄边框以及低功耗的需求的日益增大，传统的非晶硅(a-Si)有源层已经不能够满足使用的要求，所以必须找到具有更高的载流子迁移率的其他半导体作为满足使用的要求。以铟镓锌氧化物(IGZO，Indium Gallium Zinc Oxide)为代表的一些氧化物半导体，由于简单的制备方法和高的载流子迁移率，成为替代传统a-Si有源层的最佳选择。目前，苹果Ipad系列的显示面板采用的就是氧化物技术，并且IGZO等氧化物半导体正在受到越来越多的重视。

虽然氧化物半导体具有上述优点，但是也具有一些不如a-Si的特性，比如稳定性较差。对空气中的氢气(H₂)和氧气(O₂)，水(H₂O)等气体敏感，所以在环境中氧化物薄膜晶体管(TFT，Thin Film Transistor)特性稳定性差，制程margin小，产品开发周期长，容易发生信赖性问题。所以如何提高氧化物TFT的信赖性成为氧化物TFT研究的一个难题。

发明内容

本发明提供一种氧化物半导体及氧化物薄膜晶体管制备方法和显示面板，能够消除初始耗尽层，提高作为有源层的氧化物的稳定性，从而增加氧化物TFT的信赖性。

为了达到本发明目的，本发明提供了一种氧化物半导体制备方法，包括：

在进行钝化层第一层沉积之前，利用还原性气体对裸露的氧化物半导体进行处理，以消除初始耗尽层；

进行第一层沉积。

可选地，所述方法还包括：隔绝氧气和氧化性气体。

可选地，所述第一层为钝化层PVX、或刻蚀阻挡层ESL。

可选地，所述还原性气体包括：氢气H₂、乙醇C₂H₆O。

可选地，所述还原性气体为氢气H₂；所述氢气H₂的浓度为：100百万分率ppm-10000ppm。

可选地，所述还原性气体为乙醇C₂H₆O；所述乙醇C₂H₆O的浓度为：100百万分率ppm-10000ppm。

可选地，所述方法还包括：在还原性气体环境中封装屏幕面板。

本发明还提供了一种氧化物薄膜晶体管制备方法，在其氧化物半导体的制备过程中，在进行钝化层第一层沉积之前，利用还原性气体对裸露的氧化物半导体进行处理，以消除初始耗尽层；再进行第一层沉积。