[发明专利]氧化物半导体及氧化物薄膜晶体管制备方法和显示面板有效
| 申请号： | 201710171104.2 | 申请日： | 2017-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN106941082B | 公开（公告）日： | 2020-02-28 |
| 发明（设计）人： | 班圣光;曹占锋;姚琪;刘清召;董水浪;路达 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/465 | 分类号： | H01L21/465;H01L21/34;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 林桐苒;李丹 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化物 半导体 薄膜晶体管 制备 方法 显示 面板 | ||
1.一种氧化物半导体制备方法，其特征在于，包括：
在进行钝化层第一层沉积之前，利用还原性气体对裸露的氧化物半导体进行处理，以消除初始耗尽层；所述还原性气体包括氢气H2或乙醇C2H6O；所述初始耗尽层是氧化物半导体接触到空气中的氧气之后，氧气吸附氧化物半导体表面的电子，生成O2-和O-离子，导致氧化物半导体表面的电子被消耗掉所形成的层；
进行第一层沉积。
2.根据权利要求1所述的氧化物半导体制备方法，其特征在于，所述方法还包括：隔绝氧气和氧化性气体。
3.根据权利要求1或2所述的氧化物半导体制备方法，其特征在于，所述第一层为钝化层PVX或刻蚀阻挡层ESL。
4.根据权利要求1或2所述的氧化物半导体制备方法，其特征在于，所述还原性气体为氢气H2；所述氢气H2的浓度为：100ppm-10000ppm。
5.根据权利要求1或2所述的氧化物半导体制备方法，其特征在于，所述还原性气体为乙醇C2H6O；所述乙醇C2H6O的浓度为：100ppm-10000ppm。
6.根据权利要求1或2所述的氧化物半导体制备方法，其特征在于，所述方法还包括：在还原性气体环境中封装屏幕面板。
7.一种氧化物薄膜晶体管制备方法，其特征在于，在氧化物半导体的制备过程中，在进行钝化层第一层沉积之前，利用还原性气体对裸露的氧化物半导体进行处理，以消除初始耗尽层；再进行第一层沉积；所述还原性气体包括氢气H2或乙醇C2H6O；所述初始耗尽层是氧化物半导体接触到空气中的氧气之后，氧气吸附氧化物半导体表面的电子，生成O2-和O-离子，导致氧化物半导体表面的电子被消耗掉所形成的层。
8.根据权利要求7所述的氧化物薄膜晶体管制备方法，其特征在于，所述第一层为钝化层PVX或刻蚀阻挡层ESL。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
