[发明专利]一种带沟槽阵列和空腔的碳化硅衬底结构在审
| 申请号： | 201710157519.4 | 申请日： | 2017-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN106960871A | 公开（公告）日： | 2017-07-18 |
| 发明（设计）人： | 王珩宇;盛况 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/16;H01L29/872 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司33200 | 代理人： | 林超 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种带沟槽阵列和空腔的碳化硅衬底结构。包括碳化硅衬底、设置在碳化硅衬底底面的沟槽阵列以及设置在碳化硅衬底底面并覆盖沟槽阵列的金属叠层；金属叠层包括覆盖在衬底底面和沟槽阵列底面的第一层金属、上表面与第一层金属底面相连且下表面在沟槽阵列处形成空腔的第二层金属。本发明减少了衬底层电阻且能与普通工艺线相兼容，保持了完整衬底厚度，降低了发生碎片几率，缓解了在热循环或实际使用过程中存在的热应力问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 阵列 空腔 碳化硅 衬底 结构 | ||
【主权项】：
一种带沟槽阵列和空腔的碳化硅衬底结构，其特征在于：包括碳化硅衬底(1)，包括衬底顶面(P1)和衬底底面(P2)；包括设置在碳化硅衬底(1)底面的沟槽阵列(2)；包括覆盖在碳化硅衬底(1)和沟槽阵列(2)底面的金属叠层，金属叠层带有空腔。
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