[发明专利]一种带沟槽阵列和空腔的碳化硅衬底结构在审
| 申请号： | 201710157519.4 | 申请日： | 2017-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN106960871A | 公开（公告）日： | 2017-07-18 |
| 发明（设计）人： | 王珩宇;盛况 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/16;H01L29/872 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司33200 | 代理人： | 林超 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 阵列 空腔 碳化硅 衬底 结构 | ||
1.一种带沟槽阵列和空腔的碳化硅衬底结构，其特征在于：
包括碳化硅衬底(1)，包括衬底顶面(P1)和衬底底面(P2)；
包括设置在碳化硅衬底(1)底面的沟槽阵列(2)；
包括覆盖在碳化硅衬底(1)和沟槽阵列(2)底面的金属叠层，金属叠层带有空腔。
2.如权利要求1所述的一种带沟槽阵列和空腔的碳化硅衬底结构，其特征在于：所述的金属叠层包括：
包括第一层金属(3)，覆盖在衬底底面(P2)和沟槽阵列(2)底面；
包括第二层金属(5)，上表面与第一层金属(3)底面相连，下表面在沟槽阵列(2)处形成空腔。
3.如权利要求2所述的一种带沟槽阵列和空腔的碳化硅衬底结构，其特征在于：所述的第一层金属(3)与碳化硅衬底(1)形成欧姆接触层金属。
4.如权利要求1所述的一种带沟槽阵列和空腔的碳化硅衬底结构，其特征在于：所述的沟槽阵列(2)为开设在衬底底面(P2)上阵列均布的多个沟槽。
5.如权利要求1或4所述的一种带沟槽阵列和空腔的碳化硅衬底结构，其特征在于：所述沟槽阵列(2)所占据衬底底面(P2)的面积和原衬底底面(P2)总面积之间的比例小于或等于1/2并且大于1/100。
6.如权利要求4所述的一种带沟槽阵列和空腔的碳化硅衬底结构，其特征在于：所述沟槽的深度最深是距衬底顶面(P1)距离为100微米。
7.如权利要求4所述的一种带沟槽阵列和空腔的碳化硅衬底结构，其特征在于：所述沟槽阵列(2)中的沟槽阵列方式为对齐网格式或者交错网格式。
8.如权利要求1所述的一种带沟槽阵列和空腔的碳化硅衬底结构，其特征在于：所述第一层金属(3)选用镍或者钛的金属，且厚度小于500nm。
9.如权利要求1所述的一种带沟槽阵列和空腔的碳化硅衬底结构，其特征在于：所述第二层金属(5)选用银、钛或者钨的金属，厚度不低于100nm且不大于2微米。
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