[发明专利]半导体芯片的沟槽肖特基表面平坦化加工工艺在审
| 申请号： | 201710135002.5 | 申请日： | 2017-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN106941075A | 公开（公告）日： | 2017-07-11 |
| 发明（设计）人： | 马文力;杨勇;姚伟明 | 申请（专利权）人： | 扬州国宇电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/16;G03F7/26 |
| 代理公司： | 苏州润桐嘉业知识产权代理有限公司32261 | 代理人： | 胡思棉 |
| 地址： | 225101 江苏省扬*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种半导体芯片的沟槽肖特基表面平坦化加工工艺，其步骤依次主要包括第一次光刻匀胶，第一次光刻胶回刻，第二次光刻匀胶，第二次光刻胶回刻，介质刻蚀，光刻胶剥离，所述第一次光刻胶匀胶和所述第二次光刻胶匀胶的光刻胶厚度为0.5～5.0um；所述第一次光刻胶回刻厚度为所述光刻胶厚度1.0～1.4倍；所述第二次光刻胶回刻厚度为的为所述光刻胶厚度0.7～1.1倍。本发明沟槽肖特基表面平坦化工艺，能够显著提高沟槽台阶处的光刻胶厚度，抑制刻蚀负载效应，提高沟槽肖特基的表面平整度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 沟槽 肖特基 表面 平坦 加工 工艺 | ||
【主权项】：
一种半导体芯片的沟槽肖特基表面平坦化加工工艺，其步骤依次主要包括第一次光刻匀胶，第一次光刻胶回刻，第二次光刻匀胶，第二次光刻胶回刻，介质刻蚀，光刻胶剥离，所述第一次光刻胶匀胶和所述第二次光刻胶匀胶的光刻胶厚度为0.5～5.0um；所述第一次光刻胶回刻厚度为所述光刻胶厚度1.0～1.4倍；所述第二次光刻胶回刻厚度为的为所述光刻胶厚度0.7～1.1倍。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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