[发明专利]半导体芯片的沟槽肖特基表面平坦化加工工艺

权利要求书

1.一种半导体芯片的沟槽肖特基表面平坦化加工工艺，其步骤依次主要包括第一次光刻匀胶，第一次光刻胶回刻，第二次光刻匀胶，第二次光刻胶回刻，介质刻蚀，光刻胶剥离，所述第一次光刻胶匀胶和所述第二次光刻胶匀胶的光刻胶厚度为0.5～5.0um；所述第一次光刻胶回刻厚度为所述光刻胶厚度1.0～1.4倍；所述第二次光刻胶回刻厚度为的为所述光刻胶厚度0.7～1.1倍。

2.根据权利要求1所述的半导体芯片的沟槽肖特基表面平坦化加工工艺，其特征在于所述第一次光刻胶回刻和所述第二次光刻胶回刻均采用干法刻蚀工艺。

3.根据权利要求1所述的半导体芯片的沟槽肖特基表面平坦化加工工艺，其特征在于所述干法刻蚀工艺为等离子体刻蚀、反应离子刻蚀或聚焦离子刻蚀。

4.根据权利要求1所述的半导体芯片的沟槽肖特基表面平坦化加工工艺，其特征在于在所述第一次光刻胶回刻前后增加单次或多次烘烤过程及冷却过程。

5.根据权利要求4所述的半导体芯片的沟槽肖特基表面平坦化加工工艺，其特征在于所述烘烤温度75～130℃，时间3～300秒。

6.根据权利要求4所述的半导体芯片的沟槽肖特基表面平坦化加工工艺，其特征在于所述冷却过程为自然冷却或冷板冷却，所述冷板冷却温度20～30℃，冷却时间30s～30min。