[发明专利]一种半导体器件及其制备方法和电子装置有效
| 申请号： | 201710131842.4 | 申请日： | 2017-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN108573953B | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 陈彧 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L23/00;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其制备方法和电子装置。所述半导体器件包括：半导体衬底；底部接触层，位于所述半导体衬底上；介电层，位于所述底部接触层上；焊盘，嵌于所述介电层中并且与所述底部接触层形成电连接；其中，在所述焊盘的边缘位置形成有若干贯穿所述焊盘的柱形结构，所述柱形结构的材料与所述焊盘的材料不同。本发明通过所述柱形结构的设置可以很好的释放所述焊盘中的应力，从而改变所述焊盘与所述介电层之间的接合性能，提高所述焊盘的可靠性，进而提高所述半导体器件的性能和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：半导体衬底；底部接触层，位于所述半导体衬底上；介电层，位于所述底部接触层上；焊盘，嵌于所述介电层中并且与所述底部接触层形成电连接；其中，在所述焊盘的边缘位置形成有若干贯穿所述焊盘的柱形结构，所述柱形结构的材料与所述焊盘的材料不同。
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