[发明专利]一种半导体器件及其制备方法和电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：

半导体衬底；

底部接触层，位于所述半导体衬底上；

介电层，位于所述底部接触层上；

焊盘，嵌于所述介电层中并且与所述底部接触层形成电连接；

其中，在所述焊盘的边缘位置形成有若干贯穿所述焊盘的柱形结构，所述柱形结构的材料与所述焊盘的材料不同，用以释放所述焊盘的应力；其中，所述介电层包括由下到上层叠的第一介电层和第二介电层，所述柱形结构位于所述第二介电层中，所述焊盘和所述底部接触层之间通过嵌于所述第一介电层中的接触结构电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述焊盘呈方形结构，在所述方形结构的四个角上形成有贯穿所述焊盘的柱形结构。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述焊盘嵌于所述介电层中并露出所述焊盘顶部的表面。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述焊盘和所述底部接触层之间通过嵌于所述介电层中的接触结构电连接。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述柱形结构的材料与所述介电层的材料相同。

6.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成底部接触层和介电层；

在所述介电层中形成嵌于所述介电层中并且与所述底部接触层形成电连接的焊盘，其中，在所述焊盘的边缘位置形成有若干贯穿所述焊盘的柱形结构，所述柱形结构的材料与所述焊盘的材料不同；其中，形成所述焊盘的方法包括：

在所述底部接触层上依次形成第一介电层和第二介电层，以覆盖所述底部接触层；

图案化所述第二介电层，以在所述第二介电层中形成凹槽以及在所述凹槽的边缘形成若干柱形结构；

图案化所述第一介电层，以在所述第一介电层中形成位于所述凹槽下方的开口，所述开口的尺寸小于所述凹槽并且与所述凹槽连通，在所述凹槽的边缘的若干所述柱形结构保留；

选用焊盘材料填充所述开口和所述凹槽，以形成焊盘。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述焊盘呈方形结构，在所述方形结构的四个角上形成有贯穿所述焊盘的柱形结构。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，形成所述开口和所述凹槽的方法包括：

在所述第二介电层形成第一掩膜层，所述第一掩膜层中形成所述凹槽和所述柱形结构的图案；

以所述第一掩膜层为掩膜蚀刻所述第二介电层，以在所述第二介电层中形成所述凹槽和所述柱形结构；

去除所述第一掩膜层；

沉积第二掩膜层，以填充所述凹槽；

图案化所述第二掩膜层，形成所述开口的图案；

以所述第二掩膜层为掩膜蚀刻所述第一介电层，以在所述第一介电层中形成所述开口；

去除所述第二掩膜层。

9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，填充所述开口和所述凹槽之后所述方法还包括平坦化所述焊盘材料至所述介电层的步骤。

10.一种电子装置，其特征在于，所述电子装置包括权利要求1至5之一所述的半导体器件。