[发明专利]半导体存储器结构

摘要

本发明公开一种半导体存储器结构，包含有一基底，该基底上包含有一存储单元区、一周边电路区、以及一存储单元边缘区。该半导体存储器结构还包含有多个形成于该存储单元区内、该存储单元边缘区内、以及该周边电路区内的主动区域，以及至少一设置于该存储单元边缘区内的该多个主动区域上的虚置位线。该虚置位线沿一第一方向延伸，且在一第二方向上与至少二个该主动区域重叠，该第一方向与该第二方向彼此垂直。该虚置位线还包含一第一内直线部分与一外直线部分，该第一内直线部分与该外直线部分包含不同的厚度与不同的间隙壁。

主权项

1.一种半导体存储器结构，包含有：基底，该基底上包含有存储单元(memory cell)区、周边电路(peripheral circuit)区、以及定义于该存储单元区与该周边电路区之间的存储单元边缘(cell edge)区；多个主动区域，形成于该存储单元区内、该存储单元边缘区内、以及该周边电路区内；以及至少一虚置位线(dummy bit line)，设置于该存储单元边缘区内的该多个主动区域上，该虚置位线沿一第一方向延伸，且在一第二方向上与至少二个该主动区域重叠，该第一方向与该第二方向彼此垂直，该虚置位线还包含有沿该第一方向延伸的第一内直线部分(inner line portion)与外直线部分(outer line portion)，且该第一内直线部分与该外直线部分包含有不同的宽度；多个位线，形成于该存储单元区内的该多个主动区域上，该多个位线沿该第一方向延伸，且沿该第二方向排列；第一间隙壁，位于该外直线部分靠近所述周边电路区的一侧壁上；多个第二间隙壁，位于该外直线部分远离所述周边电路区的另一侧壁、该第一内直线部分的相对侧壁、所述多个位线中每个的相对侧壁上，其中该第一间隙壁的材料不同于该多个第二间隙壁的材料。