[发明专利]掺杂氧化镓晶体及其制备方法在审
| 申请号： | 201710124917.6 | 申请日： | 2017-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN108531989A | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | 夏长泰;赛青林;周威;齐红基 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B13/00;C30B11/00;C30B15/00;H01L31/032 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王仙子 |
| 地址： | 201800 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种掺杂氧化镓晶体及其制备方法。本发明提供的掺杂氧化镓晶体，为氧化镓晶体经掺杂形成N型导电体，掺杂元素为铌，掺杂浓度范围为小于等于0.8mol％。本发明可以获得具有高载流子浓度和高导电性的氧化镓晶体，并且，通过对掺杂浓度的控制，能够得到不同电阻率和载流子浓度的氧化镓晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化镓 掺杂 载流子 制备 掺杂元素 高导电性 电阻率 | ||
【主权项】：
1.一种掺杂氧化镓晶体，氧化镓晶体经掺杂形成N型导电体，掺杂元素为铌，掺杂浓度范围为小于等于0.8mol％。
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