[发明专利]半导体装置及形成半导体装置的方法有效
| 申请号： | 201710119801.3 | 申请日： | 2017-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN108206211B | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 张简旭珂;余人皓;郑志成 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;吴启超 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体装置及形成半导体装置的方法。半导体装置包含设置在第一半导体鳍片上的n型栅极结构，其中n型栅极结构是结合氟，且包含设置在第一高介电常数介电层上的n型功函数金属层。n型功函数金属层包含钛铝(TiAl)合金，其中钛对铝的原子比实质介于1至3之间。半导体装置还包含设置在第二半导体鳍片上的p型栅极结构，其中p型栅极结构是结合氟，且包含设置在第二高介电常数介电层上的p型功函数金属层。p型功函数金属层包含氮化钛(TiN)，其中钛对氮的原子比实质介于1:0.9至1:1.1之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包含：一半导体基材；一第一半导体鳍片，在该半导体基材上；以及一n型栅极结构，位于该第一半导体鳍片上，其中该n型栅极结构是结合氟，且该n型栅极结构包含：一第一初始层，位于该第一半导体鳍片上；一第一高介电常数介电层，位于该第一初始层上并被一第一栅极间隙壁所包围；一n型功函数金属层，设置在该第一高介电常数介电层上，该n型功函数金属层包含钛铝合金或钽铝合金，其中当该n型功函数金属层包含该钛铝合金时，钛对铝的原子比的范围实质为从1至3；一第一阻挡金属层，设置在该n型功函数金属层上；以及一第一金属填充层，周边包围有该第一阻挡金属层，以使该第一金属填充层是被一第一堆叠结构所包围，其中该第一堆叠结构的一侧壁包含实质为从5原子百分比至20原子百分比的氟浓度，且该第一堆叠结构的一底部包含实质为从1原子百分比至15原子百分比的氟浓度。
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