[发明专利]QLED器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201710110801.7 | 申请日： | 2017-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN106784202A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 刘佳 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/14;H01L33/26 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所44237 | 代理人： | 黄志云 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种QLED器件，包括依次层叠设置的基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极，所述空穴注入层由经卤氢酸处理的空穴注入材料制成，所述空穴注入材料为氧化石墨烯与PEDOTPSS的混合物。所述QLED的制备方法，包括以下步骤配置氧化石墨烯与PEDOTPSS的混合溶液，并提供图案化的阳极基板；在所述阳极基板上沉积所述氧化石墨烯与PEDOTPSS的混合溶液，制备空穴注入预制层；在加热条件下，在所述空穴注入预制层上滴加氢卤酸溶液，并铺满所述空穴注入预制层，经干燥处理得到空穴注入层；在所述空穴注入层上依次沉积空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极。 | ||
| 搜索关键词： | qled 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种QLED器件，包括依次层叠设置的基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极，其特征在于，所述空穴注入层由经卤氢酸处理的空穴注入材料制成，所述空穴注入材料为氧化石墨烯与PEDOT:PSS的混合物。
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