[发明专利]QLED器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201710110801.7 | 申请日： | 2017-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN106784202A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 刘佳 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/14;H01L33/26 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所44237 | 代理人： | 黄志云 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | qled 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种QLED器件，包括依次层叠设置的基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极，其特征在于，所述空穴注入层由经卤氢酸处理的空穴注入材料制成，所述空穴注入材料为氧化石墨烯与PEDOT:PSS的混合物。
2.如权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述氧化石墨烯为氧化石墨烯纳米片。
3.如权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，以所述空穴注入材料的总重量为100％计，所述氧化石墨烯的重量百分含量为0.01-0.04％。
4.如权利要求1-3任一所述的QLED器件，其特征在于，所述空穴注入层的厚度为50-100nm。
5.如权利要求1-3任一所述的QLED器件，其特征在于，还包括设置在所述电子传输层和所述阴极之间的电子注入层。
6.一种QLED的制备方法，包括以下步骤：
配置氧化石墨烯与PEDOT:PSS的混合溶液，并提供图案化的阳极基板；
在所述阳极基板上沉积所述氧化石墨烯与PEDOT:PSS的混合溶液，制备空穴注入预制层；在加热条件下，在所述空穴注入预制层上滴加氢卤酸溶液，并铺满所述空穴注入预制层，经干燥处理得到空穴注入层；
在所述空穴注入层上依次沉积空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极。
7.如权利要求6所述的QLED的制备方法，其特征在于，所述氢卤酸溶液的浓度为1-20mol/L。
8.如权利要求6所述的QLED的制备方法，其特征在于，所述加热条件为80-150℃。
9.如权利要求6-8任一所述的QLED的制备方法，其特征在于，以所述氧化石墨烯与PEDOT:PSS的混合溶液中氧化石墨烯与PEDOT:PSS的总重量为100％计，所述氧化石墨烯的重量百分含量为0.01-0.04％。
10.如权利要求6-8任一所述的QLED的制备方法，其特征在于，还包括在制备阴极前，在所述电子传输层上制备电子注入层。
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