[发明专利]QLED器件及其制备方法

说明书

技术领域

本发明属于平板显示技术领域，尤其涉及一种QLED器件及其制备方法。

背景技术

半导体量子点具有尺寸可调谐的光电子性质，被广泛应用于发光二极管、太阳能电池和生物荧光标记领域。经过二十多年的发展，量子点合成技术取得了显著的成绩，可以合成得到各种高质量的量子点纳米材料，其光致发光效率可以达到85％以上。由于量子点具有尺寸可调节的发光、发光线宽窄、光致发光效率高和热稳定性等特点，以量子点为发光层的量子点发光二极管(QLED)成为极具潜力的下一代显示和固态照明光源。量子点发光二极管因具备高亮度、低功耗、广色域、易加工等诸多优点，近年来在照明和显示领域获得了广泛的关注与研究。经过多年的发展，QLED技术获得了巨大的发展。从公开报道的文献资料来看，目前最高的红色和绿色QLED的外量子效率已经超过或者接近20％，表明红绿QLED的内量子效率实际上已经接近100％的极限。然而，作为高性能全彩显示不可或缺的蓝色QLED，目前不论是在电光转换效率、还是在使用寿命上，都远低于红绿QLED，从而限制了QLED在全彩显示方面的应用。

发明内容

本发明的目的在于提供一种QLED及其制备方法，旨在解决现有全彩显示QLED中，由于器件、特别是蓝色QLED电光转换效率不佳，影响全彩显示QLED器件效率的问题。

本发明是这样实现的，一种QLED器件，包括依次层叠设置的基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极，所述空穴注入层由经卤氢酸处理的空穴注入材料制成，所述空穴注入材料为氧化石墨烯与PEDOT:PSS的混合物。

以及，一种QLED的制备方法，包括以下步骤：

配置氧化石墨烯与PEDOT:PSS的混合溶液，并提供图案化的阳极基板；

在所述阳极基板上沉积所述氧化石墨烯与PEDOT:PSS的混合溶液，制备空穴注入预制层；在加热条件下，在所述空穴注入预制层上滴加氢卤酸溶液，并铺满所述空穴注入预制层，经干燥处理得到空穴注入层；

在所述空穴注入层上依次沉积空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极。

本发明提供的QLED器件，以氧化石墨烯(GO)与PEDOT(3,4-乙烯二氧噻吩单体的聚合物):PSS(聚苯乙烯磺酸钠)的混合物(简写为GO:PEDOT:PSS)作为空穴注入材料，且对所述空穴注入材料进行卤氢酸处理制备空穴注入层。经过所述卤氢酸处理，质子和X^-离子渗透浸入GO:PEDOT:PSS层，导致所述PEDOT:PSS相分离，从而形成很多激子传输通道，进而大幅度提高QLED器件的电导率，特别是蓝色QLED的电光转换效率明显提高。

本发明提供的QLED器件的制备方法，只需将氧化石墨烯与PEDOT:PSS的混合溶液沉积在阳极基板上后，滴加氢卤酸溶液即可制备得到空穴注入层。各功能层均可以采用溶液法制备获得，方法操作简单，成熟可控，易于实现产业化。

附图说明

图1是本发明实施例提供的QLED结构示意图。

具体实施方式

为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

结合图1，本发明实施例提供了一种QLED器件，包括依次层叠设置的基板1、阳极2、空穴注入层3、空穴传输层4、量子点发光层5、电子传输层6和阴极7，所述空穴注入层3由经卤氢酸处理的空穴注入材料制成，所述空穴注入材料为氧化石墨烯与PEDOT:PSS的混合物。

本发明实施例采用氢卤酸处理的GO:PEDOT:PSS制备空穴注入层3，使得PEDOT:PSS相分离，形成很多激子传输通道，从而有效提高QLED器件的电导率，特别是蓝光QLED器件的电导率。其中，所述氢卤酸包括但不限于HI，且优选为HI。优选的，所述氧化石墨烯为氧化石墨烯纳米片。所述氧化石墨烯纳米片会促使已分离的PEDOT直链形成网状结构，进而有利于形成多维度导电面，进一步增加电导率，提高QLED器件效率。