[发明专利]制造半导体装置的方法和半导体装置有效
| 申请号： | 201710096151.5 | 申请日： | 2017-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN107133556B | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 余振华;陈玉芬;陈志华;蔡豪益;刘重希 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G06K9/00 | 分类号： | G06K9/00;H01L23/522;H01L25/16 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本揭露提供一种制造半导体装置的方法和半导体装置。半导体装置包括：传感器芯片；贯穿通路，电连接传感器芯片的第一侧与位在传感器芯片的第二侧上的导电元件，第二侧与第一侧相对；高电压芯片，与贯穿通路电连接；以及衬底，与贯穿通路电连接，其中高电压芯片位于衬底的开口内。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：附接传感器表面材料在传感器芯片上方，其中所述传感器芯片包括：半导体衬底；以及电极阵列，其在所述半导体衬底与所述传感器表面材料之间；附接高电压芯片与所述传感器芯片电连接，其中所述高电压芯片位于与所述传感器表面材料相比的所述传感器芯片的相对侧上；以及附接所述传感器芯片到衬底，其中在所述附接所述传感器芯片到所述衬底之后，所述高电压芯片位于所述衬底的开口内。
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