[发明专利]制造半导体装置的方法和半导体装置有效

专利信息
申请号: 201710096151.5 申请日: 2017-02-22
公开(公告)号: CN107133556B 公开(公告)日: 2021-02-05
发明(设计)人: 余振华;陈玉芬;陈志华;蔡豪益;刘重希 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: G06K9/00 分类号: G06K9/00;H01L23/522;H01L25/16
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 路勇
地址: 中国台湾新竹市*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 制造 半导体 装置 方法
【说明书】:

本揭露提供一种制造半导体装置的方法和半导体装置。半导体装置包括:传感器芯片;贯穿通路,电连接传感器芯片的第一侧与位在传感器芯片的第二侧上的导电元件,第二侧与第一侧相对;高电压芯片,与贯穿通路电连接;以及衬底,与贯穿通路电连接,其中高电压芯片位于衬底的开口内。

技术领域

本揭示涉及一种制造半导体装置的方法和半导体装置,具体涉及一种指纹传感器装置及其制造方法。

背景技术

由于用户装置变得更小且更便于携带,让有不轨企图的人变得更容易窃取用户装置。当这些装置携带用户的敏感数据,除非已将阻障放置到用户装置中,否则窃贼可能能够存取这些数据。一旦此种阻障是指纹传感器,其可用以读取试图存取装置者的指纹,如果所述指纹与用户的指纹不相同,存取可能被拒绝。

然而,由于用户装置例如手机变得更小,对于在用户装置内的个别组件的各者上也同时看到大小减小有压力。因此,对于减少含有指纹传感器的指纹封装件的大小但没有看到性能减少来说有压力。因此,需要改善以看到想要的大小减少。

发明内容

根据一实施例,提供一种制造半导体装置的方法,其包括:附接传感器表面材料在传感器芯片上方,其中传感器芯片包括:半导体衬底;以及电极阵列,其在半导体衬底与传感器表面材料之间;附接高电压芯片与传感器芯片电连接,其中高电压芯片位于与传感器表面材料相比的传感器芯片的相对侧上;以及附接传感器芯片到衬底,其中在附接传感器芯片到衬底之后,高电压芯片位于衬底的开口内。

根据另一实施例,提供一种制造半导体装置的方法,其包括:形成贯穿通路贯穿传感器衬底;形成电极阵列在传感器衬底上方,其中电极阵列与在传感器衬底的第一侧上的有源装置电连接;附接传感器外盖在传感器衬底的第一侧上方;附接高电压芯片与有源装置电连接,其中高电压芯片位于与电极阵列相比的传感器衬底的相对侧上;以及放置高电压芯片到位于第二衬底内的开口中。

根据又一实施例,提供一种半导体装置,其包括:传感器芯片;贯穿通路,电连接传感器芯片的第一侧与位在传感器芯片的第二侧上的导电元件,第二侧与第一侧相对;高电压芯片,与贯穿通路电连接;以及衬底,与贯穿通路电连接,其中高电压芯片位于衬底的开口内。

附图说明

本揭示的方面将在与随附图式一同阅读下列详细说明下被最好地理解。请注意,根据业界标准作法,各种特征未依比例绘制。事实上,为了使讨论内容清楚,各种特征的尺寸可刻意放大或缩小。

图1A至1F根据一些实施例说明指纹传感器封装件,其使用从传感器侧向移除的通孔。

图2A至2B根据一些实施例说明使用延伸通过指纹传感器与重布线层连接的通孔的实施例。

图3A至3B根据一些实施例说明在没有重布线层下使用延伸通过指纹传感器的通孔的实施例。

图4根据一些实施例说明将指纹传感器封装件并入到半导体装置中。

图5根据一些实施例说明将指纹传感器封装件并入到半导体装置中。

具体实施方式

下列揭示提供许多用于实施本揭示的不同特征的不同实施例、或实例。为了简化本揭示,在下文描述组件及配置的具体实例。当然这些仅为实例而非意图为限制性。例如,在下面说明中,形成第一特征在第二特征上方或上可包含其中第一及第二特征是形成为直接接触的实施例,以及也可包含其中额外特征可形成在第一与第二特征之间而使得第一及第二特征不可直接接触的实施例。此外,本揭示在各种实例中可重复参考编号及/或字母于。此重复是出于简单与清楚的目的且其本身并不决定所讨论的各种实施例及/或构形之间的关系。

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