[发明专利]制造半导体装置的方法和半导体装置

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：

附接传感器表面材料在传感器芯片上方，其中所述传感器芯片包括：

半导体衬底；以及

电极阵列，其在所述半导体衬底与所述传感器表面材料之间；

附接高电压芯片与所述传感器芯片电连接，其中所述高电压芯片位于与所述传感器表面材料相比的所述传感器芯片的相对侧上；以及

附接所述传感器芯片到衬底，其中在所述附接所述传感器芯片到所述衬底之后，所述高电压芯片位于所述衬底的开口内。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底的所述开口一路延伸通过所述衬底。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底的所述开口仅部分延伸通过所述衬底。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述传感器芯片进一步包括重布线层，其位于所述传感器表面材料与所述半导体衬底之间。

5.根据权利要求4所述的方法，进一步包括：

在所述附接所述传感器表面材料之前，形成通路；

放置所述传感器芯片在所述通路内；以及

在所述放置所述传感器芯片之后，封装所述通路及所述传感器芯片。

6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括形成接触垫直接物理接触位于所述传感器芯片内的贯穿衬底通路。

7.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：

形成贯穿通路贯穿传感器衬底；

形成电极阵列在所述传感器衬底上方，其中所述电极阵列与在所述传感器衬底的第一侧上的有源装置电连接；

附接传感器外盖在所述传感器衬底的所述第一侧上方；

附接高电压芯片与所述有源装置电连接，其中所述高电压芯片位于与所述电极阵列相比的所述传感器衬底的相对侧上；以及

放置所述高电压芯片到位于第二衬底内的开口中。

8.根据权利要求7所述的方法，其进一步包括形成重布线层与所述贯穿通路电连接且在与所述有源装置相比的所述传感器衬底的相对侧上，其中所述附接所述高电压芯片附接所述高电压芯片到所述重布线层。

9.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括附接第一外部连接到所述重布线层。

10.根据权利要求7所述的方法，其进一步包括形成接触垫与所述贯穿通路物理接触，其中所述附接所述高电压芯片附接所述高电压芯片到所述接触垫。

11.根据权利要求10所述的方法，进一步包括附接第一外部连接到所述接触垫。

12.根据权利要求7所述的方法，其中所述开口从所述第二衬底的一侧延伸到所述第二衬底的第二侧，所述第二侧与所述第一侧相对。

13.根据权利要求7所述的方法，其中所述开口延伸进入所述第二衬底在50μm与500μm之间的距离。

14.根据权利要求7所述的方法，其中所述第二衬底是印刷电路板。

15.一种半导体装置，其包括：

传感器芯片；

贯穿通路，电连接所述传感器芯片的第一侧与位在所述传感器芯片的第二侧上的导电元件，所述第二侧与所述第一侧相对；

高电压芯片，与所述贯穿通路电连接；以及

衬底，与所述贯穿通路电连接，其中所述高电压芯片位于所述衬底的开口内。

16.根据权利要求15所述的半导体装置，其中所述导电元件是重布线层。

17.根据权利要求15所述的半导体装置，其中所述导电元件是接触垫。