[发明专利]一种半导体工艺空气桥的制作方法

摘要

本发明公开了一种半导体工艺空气桥的制作方法，本发明利用LOR系列光刻胶加AZ52系列光刻胶的方法制作牺牲层及后面的电极图形，此方法能够根据台阶的不同高度选择不同型号的LOR光刻胶，以及选择不同的涂胶转速，也可单、双层涂胶灵活运用；因LOR系列光刻胶为非感光材料，AZ52系列光刻胶属于感光材料，线宽结构由上层AZ52系列光刻胶决定，利用上层AZ52系列光刻胶的高分辨率及高感光特性，能够应用于高台阶且小线宽的器件结构中。

主权项

1.一种半导体工艺空气桥的制作方法，其特征在于，所述制作方法步骤如下：(1)在已经完成电极台阶刻蚀的基片上旋涂LOR系列光刻胶作为牺牲层；(2)在牺牲层上旋涂一层AZ52系列光刻胶作为牺牲层的掩膜层，经过曝光及显影技术后，将光刻掩膜板的图形结构转移到2层光刻胶膜上，形成所需要的牺牲层图形结构；(3)对基片进行泛曝(即在不用光刻掩膜版的情况下进行曝光)，根据AZ52系列光刻胶在显影液中的溶解速率，设定相应的显影时间，将上层AZ52系列光刻胶去除，只留下牺牲层光刻胶；(4)对基片进行250‑300度的高温热板烘烤，高温烘烤后的牺牲层形成表面平滑的拱形结构；(5)在基片上再次旋涂LOR系列光刻胶加AZ52系列光刻胶，此双层光刻胶用来作为牺牲层的掩膜层，通过曝光及显影，在牺牲层上开出所需要的金属电极图形结构，此时牺牲层完好无损；(6)将基片进行电子束蒸发或磁控溅射，在牺牲层上蒸镀一层厚金电极引线；(7)将厚金蒸镀后的基片置于100℃的N‑甲基吡咯烷酮去胶液中浸泡15～20分钟，去除双层胶掩膜层及牺牲层，清洗干净后金属电极引线形成拱形的空气桥结构。