[发明专利]用于半导体制造的陶瓷基座的公共端子加热器有效
申请号: | 201710083138.6 | 申请日: | 2017-02-16 |
公开(公告)号: | CN107093547B | 公开(公告)日: | 2020-09-11 |
发明(设计)人: | 卡尔·F·利泽 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 李献忠;邱晓敏 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及用于半导体制造的陶瓷基座的公共端子加热器。提供用有多个加热区且用两个电源之间共享的公共端子控制加热区的反应器处理衬底的系统和方法。反应器包括支撑衬底的加热器组件和供应工艺气体到反应器中的喷头。内和外加热器集成在加热器组件中。内电源具有连接到内加热器的第一端的正极端子和连接到内加热器的耦合到公共端子的第二端的负极端子。外电源具有连接到外加热器的第一端的正极端子和连接到外加热器的耦合到公共端子的第二端的负极端子。公共端子加热器模块配置为接收靠近内加热器的测量温度。接收期望温度设置并处理伺服控制规则以识别内电源的内电压的直接控制设置和外电源的外电压的开环控制设置。外电压定义为内电压的比率。 | ||
搜索关键词: | 用于 半导体 制造 陶瓷 基座 公共 端子 加热器 | ||
【主权项】:
一种用于处理衬底的系统,其包括:反应器,其包括用于支撑所述衬底的加热器组件,所述反应器被配置为接收工艺气体;集成在所述加热器组件中的内加热器;集成在所述加热器组件中的外加热器,所述外加热器布置成围绕所述内加热器;内电源,其具有连接到所述内加热器的第一端的正极端子和连接到所述内加热器的耦合到公共端子的第二端的负极端子;外电源,其具有连接到所述外加热器的第一端的正极端子和连接到所述外加热器的耦合到所述公共端子的第二端的负极端子;和公共端子加热器模块,其被配置为接收接近所述内加热器的测量温度,所述公共端子加热器模块被配置为接收期望温度设置,并且处理伺服控制规则以识别所述内电源的内电压的直接控制设置和所述外电源的外电压的开环控制设置,其中所述外电压被定义为所述内电压的比率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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