[发明专利]半导体装置与其形成方法有效
| 申请号： | 201710073636.2 | 申请日： | 2017-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN107068679B | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 廖舜章;王淑慧;张世勋;廖家骏 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L27/092;H01L21/8234;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 王芝艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 提供半导体装置及其形成方法。半导体装置包括：第一型沟道场效晶体管，包含具有第一栅极结构的第一第一型沟道场效晶体管，以及具有第二栅极结构的第二第一型沟道场效晶体管。第一第一型沟道场效晶体管的临界电压小于第二第一型沟道场效晶体管的临界电压。第一栅极结构包含第一功函数调整材料层，且第二栅极结构包含第二功函数调整材料层。第一功函数调整材料层与第二功函数调整材料层的厚度与材料中至少一者彼此不同。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 与其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：第一型沟道场效晶体管，包含具有第一栅极结构的一第一第一型沟道场效晶体管，以及具有第二栅极结构的一第二第一型沟道场效晶体管，其中：该第一第一型沟道场效晶体管的临界电压小于该第二第一型沟道场效晶体管的临界电压，该第一栅极结构包含一第一功函数调整材料层，且该第二栅极结构包含一第二功函数调整材料层，以及该第一功函数调整材料层与该第二功函数调整材料层的厚度与材料中至少一者彼此不同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
