[发明专利]半导体图像传感器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201710072602.1 | 申请日： | 2017-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN107123658A | 公开（公告）日： | 2017-09-01 |
| 发明（设计）人： | 张朝钦;李昇展;黄志辉;蔡建欣;吴正一;周佳兴;林艺民;林明辉;李锦思 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施例公开了半导体图像传感器件及其制造方法。半导体图像传感器件包括衬底、第一像素和第二像素、以及隔离结构。第一像素和第二像素设置在衬底中，其中，第一和第二像素为相邻像素。隔离结构设置在衬底中并且介于第一和第二像素之间，其中，隔离结构包括介电层，并且介电层包括碳氧氮化硅(SiOCN)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体图像传感器件，包括：衬底；第一像素和第二像素，设置在所述衬底中，其中，所述第一像素和所述第二像素为相邻像素；以及隔离结构，设置在所述衬底中并且介于所述第一像素和所述第二像素之间，其中，所述隔离结构包括介电层，并且所述介电层包括碳氧氮化硅(SiOCN)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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