[发明专利]一种半导体芯片的制作方法在审
| 申请号： | 201710061857.8 | 申请日： | 2017-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN106784198A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 徐平 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/36;H01L33/38 |
| 代理公司： | 长沙七源专利代理事务所(普通合伙)43214 | 代理人： | 郑隽,周晓艳 |
| 地址： | 423038 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体芯片的制作方法，包括步骤A、在衬底材料上制作外延层B、在外延层上制作导电扩展层导电扩展层的成分为铟锡氧化物，其成分比例为铟锡比955，膜层厚度为C、在外延层上刻蚀出相应晶粒图形，露出N型GaN层台阶刻蚀深度1‑2μm，切割道的宽度在10μm‑30μm之间。本发明通过改变起导电作用的金属电极的大小和宽度来减少对光的吸收，达到提升芯片外量子效率的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 芯片 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体芯片的制作方法，其特征在于，包括步骤：A、在衬底材料上制作外延层：B、在外延层上制作导电扩展层：导电扩展层的成分为铟锡氧化物，其成分比例为铟锡比95:5，膜层厚度为C、在外延层上刻蚀出相应晶粒图形，露出N型GaN层台阶：刻蚀深度1‑2μm，切割道的宽度在10μm‑30μm之间。
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