[发明专利]制作具有钴硅化物层的半导体元件的方法有效
| 申请号： | 201710060808.2 | 申请日： | 2017-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN108346574B | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 张凯钧;郑存闵;蔡志杰;李瑞珉;陈意维;张家隆;刘玮鑫 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种制作具有钴硅化物层的半导体元件的方法，其步骤包含提供一硅结构，其上形成有层间介电层、在该层间介电层中形成接触孔以裸露出硅结构、在300℃～400℃的温度环境中在裸露的硅结构上沉积一钴层，其中该钴层的表面同时形成一钴保护层、进行一快速升温处理，将该硅结构上的钴层转化成钴硅化物层、以及移除未转化的钴层。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 具有 钴硅化物层 半导体 元件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作具有钴硅化物层的半导体元件的方法，其步骤包含：提供一硅结构，该硅结构上形成有层间介电层；在该层间介电层中形成接触孔以裸露出该硅结构；在300℃～400℃的温度环境中在裸露的该硅结构上沉积一钴层，其中该钴层的表面同时形成一钴保护层；对进行一快速升温处理，将该硅结构上的该钴层转化成钴硅化物层；以及移除未转化的该钴层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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