[发明专利]制作具有钴硅化物层的半导体元件的方法

权利要求书

1.一种制作具有钴硅化物层的半导体元件的方法，其步骤包含：

提供一硅结构，该硅结构上形成有层间介电层；

在该层间介电层中形成接触孔以裸露出该硅结构；

在300℃～400℃的温度环境中在裸露的该硅结构上沉积一钴层，其中该钴层的表面同时形成一钴保护层；该钴层介于该钴保护层与该硅结构之间；

对进行一快速升温处理，将该硅结构上的该钴层转化成钴硅化物层；以及

移除未转化的该钴层，且在移除未转化的该钴层后不再进行额外的快速升温处理。

2.如权利要求1所述的制作具有钴硅化物层的半导体元件的方法，其中该钴保护层为钴硅化物。

3.如权利要求1所述的制作具有钴硅化物层的半导体元件的方法，其中该钴层共形地沉积在该接触孔以及裸露的该硅结构上。

4.如权利要求1所述的制作具有钴硅化物层的半导体元件的方法，其中移除未转化的该钴层的步骤包含以浓硫酸进行一清洗步骤将未转化的该钴层移除。

5.如权利要求4所述的制作具有钴硅化物层的半导体元件的方法，其中该浓硫酸的浓度介于94％-98％之间。

6.如权利要求1所述的制作具有钴硅化物层的半导体元件的方法，其中该快速升温处理的温度介于700℃～850℃之间。

7.如权利要求1所述的制作具有钴硅化物层的半导体元件的方法，还包含在沉积该钴层前进行一外延制作工艺在裸露出该硅结构上形成一外延层。

8.如权利要求1所述的制作具有钴硅化物层的半导体元件的方法，其中该钴层上不会额外形成氮化钛保护层。

9.如权利要求1所述的制作具有钴硅化物层的半导体元件的方法，还包含在该钴硅化物层上形成接触插塞。