[发明专利]一种半导体器件及其制作方法、电子装置

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置，该制作方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成若干间隔设置的存储单元；在所述存储单元的侧壁上形成间隙壁，所述间隙壁包括沿所述存储单元的堆叠方向依次设置的第一部分和第二部分，相邻两个所述存储单元上的间隙壁之间形成有气隙和填充间隔，所述气隙至少由相邻两个所述存储单元上的所述第一部分围成，所述填充间隔至少由相邻两个所述存储单元上的所述第二部分围成；形成覆盖所述半导体衬底、存储单元和填充间隔的层间介电层。该制作方法可以降低快闪存储器的误写率和字线干扰，并提高快闪存储器的循环周期/读写次数。该半导体器件和电子装置具有类似的优点。

主权项

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的若干间隔设置的存储单元，所述存储单元包括依次堆叠设置的浮栅、隔离层和控制栅；位于所述存储单元的侧壁上的间隙壁，所述间隙壁包括沿所述存储单元的堆叠方向依次设置的第一部分和第二部分，所述第一部分比第二部分在所述存储单元的堆叠方向上更靠近所述半导体衬底；位于相邻两个所述存储单元上的间隙壁之间的气隙和填充间隔，所述气隙至少由相邻两个所述存储单元上的所述第一部分围成，所述填充间隔至少由相邻两个所述存储单元上的所述第二部分围成，所述填充间隔的底部口径在自所述填充间隔指向气隙的堆叠方向上逐渐缩小；覆盖所述半导体衬底、存储单元和填充间隔的层间介电层。