[发明专利]一种半导体器件及其制作方法、电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

半导体衬底；

位于所述半导体衬底上的若干间隔设置的存储单元，所述存储单元包括依次堆叠设置的浮栅、隔离层和控制栅；

位于所述存储单元的侧壁上的间隙壁，所述间隙壁包括沿所述存储单元的堆叠方向依次设置的第一部分和第二部分，所述第一部分比第二部分在所述存储单元的堆叠方向上更靠近所述半导体衬底；

位于相邻两个所述存储单元上的间隙壁之间的气隙和填充间隔，所述气隙至少由相邻两个所述存储单元上的所述第一部分围成，所述填充间隔至少由相邻两个所述存储单元上的所述第二部分围成，所述填充间隔的底部口径在自所述填充间隔指向气隙的堆叠方向上逐渐缩小；

覆盖所述半导体衬底、存储单元和填充间隔的层间介电层，

其中，相邻两个所述存储单元中，一个所述存储单元上的所述第二部分的下端向相邻的一个所述存储单元凸伸，以使所述填充间隔的底部口径在自所述填充间隔指向气隙的堆叠方向上逐渐缩小。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二部分的下端呈弧形。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二部分的下端与第一部分的上端在所述堆叠方向的垂直方向上的投影重叠。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述间隙壁为氮化硅。

5.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成若干间隔设置的存储单元，所述存储单元包括依次堆叠设置的浮栅、隔离层和控制栅；

在所述存储单元的侧壁上形成间隙壁，所述间隙壁包括沿所述存储单元的堆叠方向依次设置的第一部分和第二部分，所述第一部分比第二部分在所述存储单元的堆叠方向上更靠近所述半导体衬底，相邻两个所述存储单元上的间隙壁之间形成有气隙和填充间隔，所述气隙至少由相邻两个所述存储单元上的所述第一部分围成，所述填充间隔至少由相邻两个所述存储单元上的所述第二部分围成，所述填充间隔的底部口径在自所述填充间隔指向气隙的堆叠方向上逐渐缩小；

形成覆盖所述半导体衬底、存储单元和填充间隔的层间介电层，其中，相邻两个所述存储单元中，一个所述存储单元上的所述第二部分的下端向相邻的一个所述存储单元凸伸，以使所述填充间隔的底部口径在自所述填充间隔指向气隙的堆叠方向上逐渐缩小。

6.如权利要求5所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第二部分的下端呈弧形。

7.如权利要求5所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第二部分的下端与第一部分的上端在所述堆叠方向的垂直方向上的投影重叠。

8.根据权利要求5-7中的任意一项所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在所述存储单元的侧壁上形成所述间隙壁的步骤包括：

在所述存储单元的顶部和侧壁上形成第一间隙壁材料层；

在所述半导体衬底和第一间隙壁材料层上形成牺牲层；

对所述牺牲层和第一间隙壁材料层进行刻蚀，直至所述牺牲层的表面和所述侧壁上的第一间隙壁材料层均低于所述控制栅的顶部，并且使位于相邻两个存储单元之间的牺牲层表面呈凹面，所述侧壁上剩余的所述第一间隙壁材料层形成所述第一部分；

在所述牺牲层、所述第一部分以及所述控制栅的侧壁和顶部上形成第二间隙壁材料层；

进行刻蚀，以去除所述控制栅顶部以及至少部分所述凹面上的所述第二间隙壁材料层，从而形成所述间隙壁的第二部分。

9.根据权利要求8所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，对所述牺牲层和第一间隙壁材料层进行刻蚀采用低偏压等离子刻蚀工艺，所述低偏压等离子刻蚀工艺的偏压为20伏～100伏。

10.根据权利要求5所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述间隙壁为氮化硅。