[发明专利]一种水热法合成晶界层陶瓷电容器用粉体的方法有效
| 申请号： | 201710052051.2 | 申请日： | 2017-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN106747421B | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | 丁明建;庄彤;杨俊峰 | 申请（专利权）人： | 广州天极电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/12 | 分类号： | H01G4/12;C04B35/47;C04B35/626;C04B35/628 |
| 代理公司： | 广州圣理华知识产权代理有限公司 44302 | 代理人： | 顿海舟;李唐明 |
| 地址： | 510288 广东省广州市大干围*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种钛酸锶粉体，以及一种水热法合成晶界层陶瓷电容器用粉体的方法，该方法主要包括如下步骤：(1)球形偏钛酸的制备；(2)球形掺铌钛酸锶的制备；(3)半导化掺铌钛酸锶；(4)包裹偏钛酸；(5)表面偏钛酸转换为钛酸锶。本发明采用两步水热合成的办法，制备出绝缘钛酸锶包裹半导化钛酸锶的核‑壳结构粉体，实现了最终合成核‑壳结构粉体的球形形貌，同时为晶界层陶瓷电容器制备提供一种高性能粉体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 水热法 合成 晶界层 陶瓷 电容 器用 方法 | ||
【主权项】：
1.一种钛酸锶粉体，其特征在于，所述钛酸锶粉体为核‑壳结构粉体，其中，核‑壳结构粉体的表面为绝缘钛酸锶粉体，核‑壳结构粉体的核内为半导化掺铌的钛酸锶；所述绝缘钛酸锶粉体由表面包裹偏钛酸的半导化钛酸锶和八水合氢氧化锶加入到反应釜中，再加入80～100ml去离子水，封釜在180℃条件下水热反应6小时后，进行离心、清洗、烘干制备得到；所述钛酸锶粉体由如下方法制备得到：(1)球形偏钛酸的制备；(2)球形掺铌钛酸锶的制备；(3)半导化掺铌钛酸锶；(4)包裹偏钛酸：将上述步骤(3)所获得的半导化掺铌的钛酸锶加入去离子水中搅拌5分钟，再加入乙醇和PEG‑200，搅拌5～10分钟后滴加钛酸四丁酯，并持续搅拌24小时,得到表面包裹偏钛酸的半导化钛酸锶；(5)表面偏钛酸转换为钛酸锶：将述步骤(4)得的表面包裹偏钛酸的半导化钛酸锶和八水合氢氧化锶加入到反应釜中，再加入80～100ml去离子水，封釜在180℃条件下水热反应6小时；(6)将上述步骤(5)所制备的粉体进行离心、清洗、烘干，即可得到核壳结构的钛酸锶粉体。
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- 本发明涉及一种层叠电子部件，其特征在于，所述层叠电子部件具备沿着第3轴的方向交替层叠有与包含第1轴及第2轴的平面实质上平行的内部电极层和介电层的元件主体，在元件主体的第1轴的方向上相互相对的一对侧面上分别具备绝缘层，在元件主体的第2轴的方向上相互相对的一对端面上分别具备与内部电极层电连接的外部电极，绝缘层具有形成于侧面的周缘的山状部和侧面的中央部分的平面部，在将沿着绝缘层的平面部表面的表面假想线与在山状部的第1内侧规定位置上的曲面的切线所成的角的角度设定为θ1，并且将沿着绝缘层的平面部表面的表面假想线与在山状部的第1外侧规定位置上的曲面的切线所成的角的角度设定为θ2的情况下，θ1为5°～25°，θ2为5°～25°。
- 适用于高精度电子领域的电容-201810209079.7
- 周小燕 - 兴化市天东软件科技有限公司
- 2018-03-14 - 2019-04-26 - H01G4/12
- 本发明公开了适用于高精度电子领域的电容，包括层压材料、介电陶瓷层、内电极、层压材料端面、外电极、第一电镀层、第二电镀层，内电极有多片，多片内电极交错放置在介电陶瓷层内部，内电极相互平行；层压材料覆盖在介电陶瓷层外表面；在两个的外电极外表面覆盖有第一电镀层；第二电镀层覆盖在第一电镀层外表面，介电陶瓷层的上下两端分别向外凸起形成上弧面和下弧面，上弧面和下弧面关于水平面呈对称状，且上弧面和下弧面为同一椭球上的两块表面。本发明通过将介电陶瓷层进行分层，减小了Y5V电容器的电容容量变化程度，有效扩大了Y5V电容器的使用环境，降低了COG电容器或NPO电容器的使用量，节约成本。
- 专利分类
