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[发明专利]多层陶瓷电容器-CN201680042070.0有效
发明人： T.井川;G.田内;M.广濑;T.寺田 -专利权人：埃普科斯股份有限公司
申请日： 2016-06-16 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：【问题】所解决的问题在于提供一种介电组成，其被有利地使用在具有高额定电压的电源电路中并且具有当施加DC偏压时的极好的介电常数和极好的高温负荷正常运行时间，并且还在于提供包括所述介电组成的介电元件、电子部件和层压电子部件。【方案】一种介电组成，其具有包含至少Bi、Na、Sr和Ti的钙钛矿晶体结构。所述介电组成包括低Bi相，在所述低Bi相中，Bi浓度是介电组成整体中的平均Bi浓度的不大于0.8倍。
多层陶瓷电容器

[发明专利]介电组成、介电元件、电子部件和层压电子部件-CN201680042073.4有效
发明人： T.井川;G.田内;M.广濑;T.寺田 -专利权人：埃普科斯股份有限公司
申请日： 2016-06-16 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：所解决的问题在于提供一种介电组成，其被有利地使用在具有高额定电压的电源电路中并且具有当施加DC偏压时的极好的介电常数和极好的高温负荷正常运行时间，并且还在于提供包括所述介电组成的介电元件、电子部件和层压电子部件。一种介电组成，其具有包含至少Bi、Na、Sr和Ti的钙钛矿晶体结构。所述介电组成包括高Bi相，在所述高Bi相中，Bi浓度是介电组成整体中的平均Bi浓度的至少1.2倍。
组成元件电子部件层压

[发明专利]介电组成、介电元件、电子部件和层压电子部件-CN201680042108.4有效
发明人： G.田内;M.广濑;T.井川;T.寺田 -专利权人：埃普科斯股份有限公司
申请日： 2016-06-16 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： H01G4/30 文献下载
摘要：【问题】所解决的问题在于提供一种介电组成，该介电组成被有利地用在具有高额定电压的电源电路中，并且具有当施加DC偏压时的极好的介电常数、极好的DC偏压特性、以及极好的DC偏压电阻率，并且还在于提供一种采用所述介电组成的介电元件、电子部件和层压电子部件。【方案】使用一种介电组成，其具有包含至少Bi、Na、Sr和Ti的钙钛矿晶体结构。所述介电组成包括从La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Yb、Ba、Ca、Mg和Zn之中选择的至少一种。所述介电组成包括具有核‑壳结构的特定颗粒，所述核‑壳结构具有至少一个包括SrTiO3的核部分。α＜0.20，其中α是特定颗粒的数目相对于包含在介电组成中的颗粒的总数目的比。
组成元件电子部件层压

[发明专利]介电组成、介电元件、电子部件和多层电子部件-CN201680042074.9有效
发明人： M.广濑;G.田内;T.井川;T.寺田 -专利权人：埃普科斯股份有限公司
申请日： 2016-06-16 - 公布日： 2020-03-03 - 主分类号： H01G4/30 文献下载
摘要：所解决的问题在于提供一种介电组成，该介电组成被有利地用在其中施加高电压的位置中，该介电组成具有当施加DC偏压时的极好的介电常数、极好的DC偏压特性，并且还具有极好的机械强度；并且还在于提供一种包括所述介电组成的介电元件、电子部件和层压电子部件。一种具有包含至少Bi、Na、Sr和Ti的钙钛矿晶体结构的介电组成。所述介电组成包括从La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Yb、Ba、Ca、Mg和Zn之中选择的至少一种。所述介电组成包括具有核‑壳结构的特定颗粒，所述核‑壳结构具有至少一个包括SrTiO3的核部分。0.20≤α≤0.70，其中α是特定颗粒的数目相对于包含在介电组成中的颗粒的总数目的比。
组成元件电子部件多层

[发明专利]介电组成、介电元件、电子部件和层压电子部件-CN201680042072.X有效
发明人： M.广濑;T.井川;G.田内;T.寺田 -专利权人：埃普科斯股份有限公司
申请日： 2016-06-16 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：所解决的问题在于提供一种介电组成，其具有当施加DC偏压时的良好介电常数和良好DC偏压特性，并且其还具有良好的高温负荷正常运行时间和良好的机械强度；并且还在于提供包括所述介电组成的介电元件、电子部件和层压电子部件。一种介电组成，包括具有钙钛矿晶体结构的颗粒，该钙钛矿晶体结构包括至少Bi、Na、Sr和Ti。所述介电组成包括在0.5摩尔份和11.1摩尔份之间的从La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Yb、Ba、Ca、Mg和Zn之中选择的至少一种，把Ti看作100摩尔份。0.17≤α≤2.83，其中α是Bi相对于Sr的摩尔比。该颗粒中的至少一些包括高Bi相，其具有为介电组成整体的平均Bi浓度的至少1.2倍的Bi浓度。颗粒内的高Bi相的总表面积在该颗粒的总表面积的0.1%和15%之间。
组成元件电子部件层压

[发明专利]介电组成、介电元件、电子部件和层压电子部件-CN201680042106.5有效
发明人： G.田内;M.广濑;T.井川;T.寺田 -专利权人：埃普科斯股份有限公司
申请日： 2016-06-16 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：所解决的问题在于提供一种介电组成，其被有利地使用在具有高额定电压的电源电路中，并且具有当施加DC偏压时的高DC偏压电阻率和高介电常数，并且还具有有利的高温负荷正常运行时间；并且还在于提供采用所述介电组成的介电元件、电子部件和层压电子部件。【方案】包括具有钙钛矿晶体结构的颗粒的介电组成，该钙钛矿晶体结构包括至少Bi、Na、Sr和Ti。颗粒中的至少一些具有核‑壳结构，所述核‑壳结构包括核部分和壳部分。存在于核部分中的Bi的含量是存在于壳部分中的Bi的含量的不大于0.83倍。
组成元件电子部件层压

[发明专利]介电组成、介电元件、电子部件和层压电子部件-CN201680042069.8有效
发明人： M.广濑;G.田内;T.井川;T.寺田 -专利权人：埃普科斯股份有限公司
申请日： 2016-06-16 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：所解决的问题在于提供一种介电组成，其具有当施加DC偏压时的良好介电常数和良好DC偏压特性，并且其还具有良好的高温负荷正常运行时间和良好的机械强度；并且还在于提供采用所述介电组成的介电元件、电子部件和层压电子部件。一种介电组成，包括具有钙钛矿晶体结构的颗粒，该钙钛矿晶体结构包括至少Bi、Na、Sr和Ti。所述介电组成包括在0.5摩尔份和11.1摩尔份之间的从La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Yb、Ba、Ca、Mg和Zn之中选择的至少一种，把Ti看作100摩尔份。0.17≤α≤2.83，其中α是Bi相对于Sr的摩尔比。该颗粒中的至少一些包括低Bi相，其具有为介电组成整体的平均Bi浓度的不大于0.8倍的Bi浓度。颗粒内的低Bi相的总表面积在该颗粒的总表面积的0.1%和15%之间。
组成元件电子部件层压

[发明专利]介电组成、介电元件、电子部件和多层电子部件-CN201680042086.1有效
发明人： G.田内;M.广濑;T.井川;T.寺田 -专利权人：埃普科斯股份有限公司
申请日： 2016-06-16 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：所解决的问题在于提供一种介电组成，其被有利地使用在具有高额定电压的电源电路中，并且具有当施加DC偏压时的高DC偏压电阻率和高介电常数，并且还具有有利的高温负荷正常运行时间；并且还在于提供采用所述介电组成的介电元件、电子部件和层压电子部件。包括具有钙钛矿晶体结构的颗粒的介电组成，该钙钛矿晶体结构包括至少Bi、Na、Sr和Ti。颗粒中的至少一些具有核‑壳结构，所述核‑壳结构包括核部分和壳部分，并且存在于核部分中的Bi的含量是存在于壳部分中的Bi的含量的至少1.2倍。
组成元件电子部件多层

[发明专利]介电组合物、介电元件、电子组件和层压电子组件-CN201580048585.7有效
发明人： M.广濑;T.井川;G.田内 -专利权人：埃普科斯股份有限公司
申请日： 2015-09-08 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种介电组合物，在施加至少8V/µm DC偏压时，所述介电组合物具有800或更大的相对高的介电常数，且具有4%或更小的相对低的介电损耗，本发明的目的也在于提供利用所述介电组合物的介电元件、电子组件和层压电子组件。介电组合物具有由(Bi_aNa_bSr_cBa_d)(α_xTi_1‑x)O₃表示的主组分，其特征在于α为选自Zr和Sn至少之一；并且a、b、c、d和x满足以下关系：0.140≤a≤0.390，0.140≤b≤0.390，0.200≤c≤0.700，0.020≤d≤0.240，0.020≤x≤0.240，和0.950≤a+b+c+d≤1.050。
组合元件电子组件层压

[发明专利]电介质组合物、电介质元件、电子元件和层叠型电子元件-CN201580048497.7在审
发明人： G.田内 -专利权人：埃普科斯股份有限公司
申请日： 2015-09-08 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： C04B35/462 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供电介质组合物，所述电介质组合物具有800或更大的相对高的介电常数、并在施加至少8 V/μm的DC偏压时具有14 V/μm或更大的耐受场，并且还在于提供采用所述电介质组合物的电介质元件、电子元件和层叠型电子元件。电介质组合物，其具有由(BiaNabSrcLnd)TiO3表示的主要组分，特征在于Ln为选自以下中的至少一者La，Ce，Pr，Nd，Sm，Eu，Gd，Tb，Dy，Ho和Yb；并且a、b、c和d满足以下条件0<a<0.50，0<b<0.50，0<c≤0.80，0<d≤0.20，和0.90≤a+b+c+d≤1.05。
电介质组合元件电子元件层叠

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