[发明专利]碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201710050026.0 | 申请日： | 2017-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN107204363A | 公开（公告）日： | 2017-09-26 |
| 发明（设计）人： | 小松卓也;今井文一 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人： | 孙昌浩,李盛泉 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供能获得良好元件特性的碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法。在以覆盖层间绝缘膜(8)的方式形成氮化钛膜(9)后，以沿着氮化钛膜(9)上延伸的方式在露出于接触孔(8a)的碳化硅基体(20)的正面上形成第一镍膜(31)。接着通过800℃～1100℃温度的高速热处理(32)使碳化硅基体(20)与第一镍膜(31)反应而形成构成欧姆接触的硅化镍膜。另外通过该高速热处理(32)使氮化钛膜(9)的晶粒变大，使氮化钛膜(9)的晶粒直径为20nm～50nm。由此使氮化钛膜(9)的晶粒间的间隙比高速热处理(32)前的状态窄或消除间隙，因此能抑制镍从第一镍膜(31)侵入到氮化钛膜(9)的柱状晶粒间。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅半导体装置，其特征在于，具备：绝缘栅结构，其设置在由碳化硅构成的半导体基板的表面上；绝缘膜，其覆盖所述绝缘栅结构；接触孔，其在深度方向上贯通所述绝缘膜；氮化钛膜，其以覆盖所述绝缘膜的方式设置；以及硅化镍膜，其在所述接触孔中设置在所述半导体基板的表面上，构成与所述半导体基板的欧姆接触，所述氮化钛膜的晶粒直径为20nm以上且50nm以下。
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