[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，方法包括：形成基底，包括衬底、位于衬底上的鳍部、横跨鳍部的栅极结构、位于栅极结构两侧鳍部内的源漏掺杂区、以及覆盖源漏掺杂区的第一刻蚀停止层；在栅极结构顶部上形成保护层；在第一刻蚀停止层和保护层上形成层间介质层；以第一刻蚀停止层为停止层，刻蚀源漏掺杂区上方的层间介质层，形成第一通孔；以保护层为停止层，刻蚀栅极结构上方的层间介质层，形成第二通孔；沿第一通孔刻蚀第一刻蚀停止层，形成露出源漏掺杂区的第一接触孔；对源漏掺杂区进行预非晶化注入工艺；预非晶化注入工艺后，去除第二通孔底部的刻蚀保护层，形成露出栅极结构的第二接触孔。通过所述保护层，可以防止栅极结构和源漏掺杂区受损。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：形成基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底上分立的鳍部、横跨所述鳍部且覆盖鳍部部分顶部表面和侧壁表面的栅极结构、位于所述栅极结构两侧鳍部内的源漏掺杂区、以及覆盖所述源漏掺杂区的第一刻蚀停止层；在所述栅极结构的顶部上形成保护层；在所述第一刻蚀停止层和保护层上形成层间介质层；以所述第一刻蚀停止层为停止层，刻蚀所述源漏掺杂区上方的层间介质层，在所述栅极结构之间的层间介质层内形成露出所述第一刻蚀停止层的第一通孔；以所述保护层为停止层，刻蚀所述栅极结构上方的层间介质层，在所述栅极结构上方的层间介质层内形成露出所述保护层的第二通孔；形成所述第二通孔后，沿所述第一通孔刻蚀所述第一刻蚀停止层，形成贯穿所述层间介质层和第一刻蚀停止层并露出所述源漏掺杂区的第一接触孔；对所述第一接触孔底部的源漏掺杂区进行预非晶化注入工艺；在所述预非晶化注入工艺后，去除所述第二通孔底部的所述保护层，形成贯穿所述层间介质层和保护层并露出所述栅极结构的第二接触孔；向所述第一接触孔和第二接触孔内填充导电材料，形成与所述源漏掺杂区电连接的第一接触孔插塞，以及与所述栅极结构电连接的第二接触孔插塞。