[发明专利]具有几何截面的芯片上可变电容器在审
| 申请号： | 201710003504.2 | 申请日： | 2017-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN107039400A | 公开（公告）日： | 2017-08-11 |
| 发明（设计）人： | S·帕蒂尔;A·P·雅各布;S·M·潘迪 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司11314 | 代理人： | 程伟,王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种具有几何截面的芯片上可变电容器，其提供芯片上电容的方法包括提供一个或多个半导体装置的初始互连结构，该初始互连结构包括介电材料层。在该介电材料层中形成具有不同且连续的截面尺寸的相同截面形状的过孔，以及在该过孔中形成与该过孔形状匹配的电容器。该几何截面形状包括圆形、方形、六边形以及八边形。对于非圆形，其电容通过适合置于并接触该非圆形的所有边的同轴电容器的电容乘以约0.01至约2的校正因子来近似。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 几何 截面 芯片 可变电容器 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：提供一个或多个半导体装置的初始互连结构，该初始互连结构包括介电材料层；在该介电材料层中形成具有不同且连续的截面尺寸的相同截面形状的至少两个过孔，其中，该至少两个过孔的至少其中一个具有第一截面形状；以及在该至少两个过孔各者中形成具有不同电容的几何电容器。
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