[发明专利]半导体制造装置以及半导体制造方法有效

专利信息
申请号: 201680091640.5 申请日: 2016-12-21
公开(公告)号: CN110073479B 公开(公告)日: 2023-07-18
发明(设计)人: 田中博司 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 何立波;张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明的目的在于提供以下这样的半导体制造装置以及半导体制造方法,即,连同在晶片或者形成于晶片的厚度测定对象的表面形成有台阶的情况也包含在内,能够对厚度测定对象的表面的厚度高精度地进行计算。半导体制造装置具备厚度计算功能(100),厚度计算功能(100)具备:测定值取得部(1),其从对晶片的厚度进行测定的厚度测定功能(50)取得晶片的不同的测定位置处的多个测定值;直方图数据创建部(2),其基于多个测定值而创建直方图数据;以及分级组提取部(3),其从直方图数据提取分级组,分级组是指具有大于或等于预先确定的次数的次数的连续的分级,厚度计算功能还具备:代表值计算部(4),其基于提取出的分级组所含有的分级而对测定区域的厚度的代表值进行计算。
搜索关键词: 半导体 制造 装置 以及 方法
【主权项】:
1.一种半导体制造装置,其对晶片实施用于制造半导体的处理,所述半导体制造装置具备厚度计算功能,所述厚度计算功能具备:测定值取得部,其从沿着所述晶片的表面对所述晶片或者在所述晶片形成的厚度测定对象的厚度进行测定的厚度测定功能取得所述晶片的不同的测定位置处的多个测定值;直方图数据创建部,其基于所述多个测定值而创建直方图数据;以及分级组提取部,其从所述直方图数据提取分级组,所述分级组是具有大于或等于预先确定的次数的次数的连续的分级,所述厚度计算功能还具备:代表值计算部,其基于提取出的所述分级组所含有的分级而对测定区域的厚度的代表值进行计算。
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