[发明专利]半导体制造装置以及半导体制造方法有效
申请号: | 201680091640.5 | 申请日: | 2016-12-21 |
公开(公告)号: | CN110073479B | 公开(公告)日: | 2023-07-18 |
发明(设计)人: | 田中博司 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 何立波;张天舒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的目的在于提供以下这样的半导体制造装置以及半导体制造方法,即,连同在晶片或者形成于晶片的厚度测定对象的表面形成有台阶的情况也包含在内,能够对厚度测定对象的表面的厚度高精度地进行计算。半导体制造装置具备厚度计算功能(100),厚度计算功能(100)具备:测定值取得部(1),其从对晶片的厚度进行测定的厚度测定功能(50)取得晶片的不同的测定位置处的多个测定值;直方图数据创建部(2),其基于多个测定值而创建直方图数据;以及分级组提取部(3),其从直方图数据提取分级组,分级组是指具有大于或等于预先确定的次数的次数的连续的分级,厚度计算功能还具备:代表值计算部(4),其基于提取出的分级组所含有的分级而对测定区域的厚度的代表值进行计算。 | ||
搜索关键词: | 半导体 制造 装置 以及 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体制造装置,其对晶片实施用于制造半导体的处理,所述半导体制造装置具备厚度计算功能,所述厚度计算功能具备:测定值取得部,其从沿着所述晶片的表面对所述晶片或者在所述晶片形成的厚度测定对象的厚度进行测定的厚度测定功能取得所述晶片的不同的测定位置处的多个测定值;直方图数据创建部,其基于所述多个测定值而创建直方图数据;以及分级组提取部,其从所述直方图数据提取分级组,所述分级组是具有大于或等于预先确定的次数的次数的连续的分级,所述厚度计算功能还具备:代表值计算部,其基于提取出的所述分级组所含有的分级而对测定区域的厚度的代表值进行计算。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社,未经三菱电机株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201680091640.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造