[发明专利]半导体制造装置以及半导体制造方法

权利要求书

1.一种半导体制造装置，其对晶片实施用于制造半导体的处理，

所述半导体制造装置具备厚度计算功能，

所述厚度计算功能具备：

测定值取得部，其从沿着所述晶片的表面对所述晶片或者在所述晶片形成的厚度测定对象的厚度进行测定的厚度测定功能取得所述晶片的不同的测定位置处的多个测定值；

直方图数据创建部，其基于所述多个测定值而创建直方图数据；以及

分级组提取部，其从所述直方图数据提取分级组，

所述分级组是具有大于或等于预先确定的次数的次数的连续的分级，

所述厚度计算功能还具备：代表值计算部，其基于提取出的所述分级组所含有的分级而对测定区域的厚度的代表值进行计算。

2.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其中，

所述代表值计算部基于包含最大的分级的所述分级组所含有的分级而对所述代表值进行计算。

3.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其中，

所述代表值计算部基于包含最小的分级的所述分级组所含有的分级而对所述代表值进行计算。

4.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其中，

所述代表值计算部基于包含最大的分级的所述分级组所含有的分级而对所述代表值进行计算，将从计算得到的所述代表值减去预先确定的厚度值而得到的值，作为应基于包含最小的分级的所述分级组所含有的分级来计算的代表值的代替值而进行计算。

5.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其中，

所述代表值计算部基于包含最小的分级的所述分级组所含有的分级而对所述代表值进行计算，将向计算得到的所述代表值加上预先确定的厚度值而得到的值，作为应基于包含最大的分级的所述分级组所含有的分级来计算的代表值的代替值而进行计算。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体制造装置，其中，

所述代表值计算部针对所述分级组，将向各分级的中值乘以该分级的次数而得到的值的总和除以所述分级组所含有的次数的合计值作为所述代表值。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体制造装置，其中，

所述代表值计算部针对所述分级组，将最大的分级的中值与最小的分级的中值的平均值设为所述代表值。

8.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体制造装置，其中，

所述代表值计算部针对所述分级组，将次数最大的分级的中值设为所述代表值。

9.根据权利要求1、2、4中任一项所述的半导体制造装置，其中，

所述代表值计算部针对包含最大的分级的所述分级组，将从大的分级侧起次数从增变为减的边界的分级的中值设为代表值。

10.根据权利要求1、3、5中任一项所述的半导体制造装置，其中，

所述代表值计算部针对包含最小的分级的所述分级组，将从小的分级侧起次数从增变为减的边界的分级的中值设为代表值。

11.根据权利要求1、2、4中任一项所述的半导体制造装置，其中，

所述代表值计算部基于从所述分级组所含有的最大的分级向小的分级侧新设定的与所述分级组相比向小的分级侧扩宽的分级范围所含有的分级而对所述代表值进行计算。

12.根据权利要求1、3、5中任一项所述的半导体制造装置，其中，

所述代表值计算部基于从所述分级组所含有的最小的分级向大的分级侧新设定的与所述分级组相比向大的分级侧扩宽的分级范围所含有的分级而对所述代表值进行计算。

13.根据权利要求1、2、4中任一项所述的半导体制造装置，其中，

所述代表值计算部基于从所述分级组所含有的最大的分级向小的分级侧新设定的与所述分级组相比在小的分级侧缩窄的分级范围所含有的分级而对所述代表值进行计算。